Samsung bevestigt dat het volgend jaar zijn negende generatie 3d-nandgeheugen introduceert. Die geheugenchips zouden bestaan uit meer dan 300 lagen. DigiTimes meldde eerder al dat het bedrijf dat geheugen in 2024 zou uitbrengen, maar Samsung bevestigt dat nu officieel.
Jung-Bae Lee, het hoofd van Samsungs geheugendivisie, bevestigt de komst van de negende generatie 3D V-Nand in 2024. De massaproductie van dat geheugen moet 'begin volgend jaar' van start gaan. De topman spreekt over 'het hoogste aantal lagen in de industrie' met een double-stack-structuur, hoewel hij geen concreet aantal lagen noemt. Over het algemeen staan meer lagen gelijk aan een hogere capaciteit per geheugenchip. Dat maakt het produceren van ssd's met grotere opslagcapaciteiten mogelijk. Ook gaan de productiekosten per terabyte normaal gesproken omlaag wanneer het aantal lagen toeneemt.
Er gingen in augustus echter al berichten rond over Samsungs komende geheugenchips. DigiTimes meldde dat de negende generatie 3D V-Nand bestaat uit 'meer dan 300 lagen'. Dat nieuwsmedium zei toen al dat de chips volgend jaar in massaproductie gaan, wat nu dus is bevestigd. DigiTimes noemde toen ook al het gebruik van double stacking. Daarbij wordt eerst een stapel 3d-nand geproduceerd op een 300mm-wafer. Vervolgens wordt daar nog een stapel bovenop geproduceerd. Dat moet zorgen voor betere yields, hoewel de productie daarmee ook langer duurt.
SK hynix presenteerde eerder al zijn eerste nandgeheugen met 321 lagen. Die fabrikant gaat drie stapels nand boven op elkaar produceren om tot dat aantal lagen te komen. De Zuid-Koreaanse chipmaker begint in 2025 met de massaproductie van zijn 3d-nand met 321 lagen, schreef AnandTech eerder.