Samsung presenteert volgende maand nieuw qlc-nandgeheugen met 280 lagen. Dat zou momenteel het hoogste aantal lagen in de sector zijn. Dergelijk nandgeheugen met meer lagen moet het mogelijk maken om goedkoper ssd's met meer capaciteit te produceren.
Samsung toont het nieuwe qlc-nandgeheugen op 20 februari tijdens de ISSCC 2024-beurs in San Francisco. Het bedrijf houdt dan een presentatie over '280-laagse nandgeheugenchips met vier bits per cel en een dichtheid van 28,5Gbit per mm²'. Momenteel produceert Chinese geheugenmaker YMTC het qlc-nand met de hoogste datadichtheid, van 19,8Gbit/mm². De geheugenchips halen ieder transferrates van 3,2Gbit/s en krijgen een capaciteit van 1Tbit, wat neer zou komen op 128GB per chip.
Mogelijk betreft dit het nieuwe V9-nandgeheugen van Samsung, aangezien V8-nand van Samsung al 238 lagen heeft. De fabrikant bevestigt dat echter niet in de ISSCC-planning. De geheugenmaker deelde eerder al eerste details over zijn negende generatie qlc-nand. Samsung zei eerder dat de bitdichtheid van zijn V9-geheugen ruim 80 procent hoger zou liggen dan zijn V7-geheugen. De fabrikant noemde in 2022 ook i/o-snelheden van 2,4Gbit/s, wat volgens de nieuwe listing dus zou zijn opgehoogd naar 3,2Gbit/s. Bij het V7-geheugen van de Zuid-Koreaanse techgigant lagen die snelheden op 1,6Gbit/s.
Samsung deelt verder nog geen technische details over zijn nieuwe V9-nandgeheugen. Samsung bevestigde eerder al dat het de productie van zijn V9-qlc-nand uiterlijk in 2024 wil beginnen. Wanneer de eerste ssd's met dit type nand beschikbaar komen, is ook nog niet bekend.