Samsung is mogelijk van plan om volgend jaar te beginnen met de productie van nandgeheugen met meer dan 300 lagen. Dat meldt DigiTimes. Samsung is volgens dat medium van plan om daarna 3d-nandgeheugen met 430 lagen uit te brengen.
DigiTimes schrijft dat Samsungs negende generatie V-NAND uit 'meer dan 300 lagen' bestaat, hoewel het exacte aantal lagen niet bekend is. Productie daarvan staat op de planning voor 2024, meldt Blocks and Files. Samsung gaat voor deze productie mogelijk gebruikmaken van zijn double stacking-techniek. Daarbij wordt eerst een stapel 3d-nand geproduceerd op een 300mm-wafer. Vervolgens wordt daar nog een stapel bovenop geproduceerd. Dat moet de yields maximaliseren, hoewel de productie daarmee ook langer duurt.
Later heeft Samsung volgens DigiTimes 430-laags nandgeheugen op de planning staan, hoewel het niet bekend is wanneer de productie daarvan precies moet beginnen. Mogelijk hanteert Samsung daarmee een triple stacking-techniek, waarbij drie nandstapels gecombineerd worden in plaats van twee. Samsung meldde vorig jaar dat het tegen 2030 nandgeheugen met 'meer dan duizend' lagen wil produceren. Momenteel produceert het bedrijf nandgeheugen met maximaal 236 lagen.
Samsung is niet de enige fabrikant die werkt aan nandgeheugen met meer dan 300 lagen. SK hynix onthulde zijn 321-laagse nandgeheugen eerder deze maand de tijdens Flash Memory Summit in Californië. Die fabrikant gaat drie stapels nand boven op elkaar produceren om tot dat aantal lagen te komen. SK hynix begint in 2025 met de massaproductie van zijn 3d-nand met 321 lagen, schrijft AnandTech.
Over het algemeen staan meer lagen gelijk aan een hogere capaciteit per geheugenchip. Dat maakt het produceren van ssd's met grotere opslagcapaciteiten mogelijk. Ook gaan de productiekosten per terabyte normaliter omlaag wanneer het aantal lagen toeneemt.
:strip_exif()/i/2006027262.jpeg?f=imagenormal)