Samsung is begonnen met de massaproductie van zijn negende generatie qlc-nandgeheugen. Deze nieuwe modules kunnen ieder 1 terabit aan data opslaan. Samsung begon in april al met de massaproductie van zijn negende generatie tlc-nand.
Samsung zegt in een persbericht dat het inmiddels is begonnen met de productie van de negende generatie van zijn qlc-nandgeheugen. Met deze nieuwe generatie heeft Samsung naar eigen zeggen het aantal lagen verhoogd. De fabrikant noemt in zijn bericht geen concreet aantal lagen, maar bevestigde in februari dat het met met 280-laags qlc-nand zou komen in 2024. De voorgaande achtste qlc-generatie van Samsung had 238 lagen.
De nieuwe geheugenmodules krijgen ieder een opslagcapaciteit van 1 terabit. De fabrikant noemt verder geen concrete specificaties, maar sprak in februari al wel over transferrates van 3,2Gbit/s per geheugenmodule.
Het nieuwe geheugen heeft volgens Samsung ook een bitdichtheid die 86 procent hoger ligt dan in eerdere generaties. Het bedrijf gebruikt onder meer een productieproces genaamd channel hole etching. De geheugenmodules zijn daarnaast opgebouwd in een double-stackstructuur, waarbij twee nandstapels op elkaar worden geplaatst om het totale aantal lagen te verhogen. Samsung zegt verder ook dat de i/o-snelheden met zo'n zestig procent stijgen ten opzichte van vorige generaties. Het stroomgebruik zou met dertig tot vijftig procent dalen bij lees- en schrijfoperaties, zo claimt de geheugenmaker.
Volgens Samsung worden de eerste producties gebruikt in 'bepaalde consumentenproducten', al noemt het bedrijf daar geen specifieke zaken bij. In ieder geval wordt het geheugen ingezet voor UFS-opslag, dat veelal wordt gebruikt in smartphones. Het bedrijf noemt ook pc's en server-ssd's voor bijvoorbeeld clouddiensten.