TSMC heeft een nieuw '1,4nm'-procedé aangekondigd. Deze node, genaamd A14, maakt wederom gebruik van nanosheettransistors. De productie op A14 moet in 2028 van start gaan. Een jaar later volgt een verbeterde versie met backside power delivery.
TSMC kondigde zijn A14-procedé aan tijdens het jaarlijkse Technology Symposium in Noord-Amerika, waar het bedrijf een bijgewerkte roadmap liet zien. Het is voor het eerst dat de Taiwanese chipfabrikant officiële details deelt over A14. Het betreft een node in de '1,4nm'-klasse, hoewel die term niet overeenkomt met de daadwerkelijke afmetingen van de transistors.
Het bedrijf zei op woensdag dat A14 in de loop van 2028 in productie gaat en dat de ontwikkeling ervan 'soepel verloopt'. De A14-yields, oftewel het percentage werkende chips aan het einde van het productieproces, lopen volgens TSMC voor op schema.
De chipmaker vergelijkt de prestaties van zijn nieuwe A14-node met die van N2, het '2nm'-procedé waarvan de productie later dit jaar begint. Ze maken allebei gebruik van zogeheten 'nanosheets', een nieuw transistortype dat ook wel 'gate-all-around' wordt genoemd. Bij nanosheettransistors worden de kanaaltjes volledig omsloten door de gate. Dat voorkomt lekstromen en zorgt ervoor dat de transistors kleiner gemaakt kunnen worden en beter presteren. Nanosheets dienen als opvolger van de finfet, die al meer dan een decennium wordt gebruikt.
Volgens TSMC presteert A14 tot 15 procent beter bij hetzelfde stroomgebruik, of gebruiken A14-chips tot 30 procent minder stroom bij hetzelfde prestatieniveau. Tegelijkertijd wordt de totale transistordichtheid met 20 procent verhoogd. Specifiek op het gebied van logic ligt die dichtheidsverbetering iets hoger, rond de 23 procent. De sram-dichtheid wordt niet los vermeld in het persbericht; daar worden doorgaans kleinere verbeteringen geboekt.
In 2029 komt TSMC nog met een verbeterde versie van zijn A14-procedé, schrijft Duitse techwebsite Heise. Deze beschikt over super power rail, TSMC's versie van backside power delivery. De naam daarvan verklapt eigenlijk zijn functie al: hiermee wordt de stroomvoorziening naar de achterkant van de chip verplaatst. Momenteel zitten de 'draden' daarvoor nog aan de voorkant, samen met de draden voor de signaalverwerking. Naarmate chips kleiner worden, gaan die twee elkaar steeds meer in de weg zitten.
Door de stroomvoorziening naar achteren te verplaatsen, wordt het daarom mogelijk om transistors nog verder te verkleinen. TSMC deelde vorig jaar al details over zijn eerste procedé met super power rail: A16. Die komt eind 2026 beschikbaar.
TSMC bevestigt niet concreet of het chipproductieproces voor de A14-node gebruikmaakt van de nieuwste euv-machines van ASML, genaamd high-NA. Die maken gebruik van vernieuwde optiek met een grotere 'numerieke apertuur'. Dat betekent dat de optiek meer licht kan opvangen en scherpstellen, wat een hogere 'resolutie' oplevert. Dat betekent in theorie dat chipmakers transistors nog kleiner kunnen maken met een enkele belichting.
Eerdere geruchten stellen dat TSMC pas met een verbeterd A14P-procedé overstapt op de high-NA-euv-machines van ASML, terwijl de 'gewone' A14-node nog gebruikmaakt van de 'gewone' euv-techniek van ASML. Tweakers heeft hierover vragen uitstaan bij TSMC.
De prestaties van TSMC's recentste procedés | ||||
---|---|---|---|---|
Node | A14 (vs. N2) | A16 (vs. N2P) | N2P (vs. N3E) | N2 (vs. N3E) |
Snelheidsverbetering bij gelijk stroomgebruik |
+10 tot 15% | +8 tot 10% | +18% | +10 tot 15% |
Afname stroomgebruik bij gelijke snelheid |
-25 tot 30% | -15 tot 20% | -36% | -25 tot 30% |
Transistordichtheid | ~1,20x | 1,07 tot 1,10x | >1,15x | >1,15x |
Begin volumeproductie | 2028 | 2026 | 2026 | 2025 |