Finse onderzoekers hebben geheugen ontwikkeld dat is opgebouwd uit koolstof nanobuisjes. De lees- en schrijfsnelheden van dit cnt-geheugen zijn hoog genoeg om met meer gangbare geheugentypes als nand-flash te kunnen concurreren.
De Finnen zijn niet de eerste onderzoekers die nanobuizen als geheugen weten in te zetten, maar de snelheid die zij met hun koolstof nanobuizen oftewel cnt's hebben kunnen bereiken werd nog niet eerder behaald. De field-effect-transistors die de bouwstenen van het geheugen vormen, worden gebruikt om gegevens op te slaan. Het geheugen dat door onderzoeksleidster Päivi Törmä en haar onderzoeksgroep werd ontwikkeld, vergt 100 nanosecondes om gegevens uit te lezen of weg te schrijven. Eerder ontwikkeld, uit koolstof nanobuizen opgebouwd geheugen vergde nog lees- en schrijftijden in de orde van microsecondes.
De onderzoeksgroep, verbonden aan de technische universiteit van Helsinki, bracht een 20nm dikke hafniumoxide-laag aan op een siliciumsubstraat. Die dunne laag deed dienst als isolator, terwijl het silicium de gates van de transistors vormde. De rest van de transistors werd gevormd door enkelwandige koolstof nanobuisjes met een lengte van 100nm tot 360nm en een doorsnede van 1,2nm tot 1,5nm, waarbij palladium elektrodes de sources en drains van de transistors vormden. Het geheel werd met een tweede 20nm dikke hafniumoxide-laag afgedekt.
Het door de Finse onderzoekers ontwikkelde geheugen kan gegevens een kleine twee dagen vasthouden en weet ongeveer 10.000 lees- en schrijfcycli te doorstaan. In plaats van cnt's denken de onderzoekers ook alternatieve materialen als grafeen te kunnen gebruiken.
