Onderzoekers van IBM hebben een transistor opgebouwd uit grafeen, een vorm van koolstof. Deze zogenoemde field effect transistor bereikte een schakelsnelheid van 26GHz.
De zeer hoge snelheid, volgens de IBM-onderzoekers een record voor transistors die niet uit silicium zijn vervaardigd, werd vooral mogelijk gemaakt door de zeer hoge snelheid waarmee elektronen in grafeen kunnen bewegen. Het grafeen bestaat uit een enkele laag koolstofatomen die in hexagonale patronen gerangschikt zijn. Het kippengaas-achtige materiaal, ook voor te stellen als uitgerolde nanobuisjes of platgemaakte buckyballs, is bovendien in zeer kleine structuren te verwerken. De onderzoekers bouwden met het grafeen transistors met een gate-lengte van slechts 150nm.
Volgens de medewerkers van Big Blue zou het mogelijk zijn de fets nog sneller te laten functioneren: de lengte van de gates zou nog verder kunnen worden verkleind tot 50nm. Daarmee zouden snelheden in het terahertz-bereik in het verschiet liggen. In een volgende stap zouden de wetenschappers de grafeen-fet's in rf-schakelingen willen gebruiken. Het onderzoek maakt deel uit van het door Darpa gesponsorde Carbon Electronics for RF Applications, een onderzoeksprogramma dat de volgende generatie communicatie-apparatuur met koolstof-elektronica beoogt te ontwikkelen.