Onderzoekers van een Amerikaanse universiteit hebben een grafeen-wafer gemaakt die tot snellere chips zou kunnen leiden. Elektronen kunnen zich sneller in grafeen bewegen dan in silicium, wat hogere klokfrequenties in processors mogelijk maakt.
Grafeen staat bekend als een alternatief voor silicium in de halfgeleiderindustrie: eerder werden al schakelingen van grafeen gebouwd met kloksnelheden van 26GHz: het zou zelfs mogelijk zijn snelheden tot 1THz met grafeen te realiseren. Dat zou mogelijk zijn dankzij de hogere snelheid waarmee elektronen zich in grafeen kunnen bewegen: het elektronmobiliteit van de 'tweedimensionale' kippengaasstructuur van koolstofatomen in grafeen ligt een factor tien hoger dan in silicium.
Hoewel onderzoekers al met succes schakelingen van grafeen hebben gebouwd, kon grafeen vooralsnog niet als alternatief voor silicium als basismateriaal voor chips dienen. De productie van grafeen als wafer-materiaal was onbetrouwbaar: de dikte en distributie van het grafeen bleek onvoorspelbaar. Onderzoekers van het Electro-Optics Center, een laboratorium van de universiteit Penn State, hebben echter met succes grafeen-wafers met een doorsnede van 100mm gemaakt.
Zij verhitten hiertoe wafers van siliciumcarbide in een sublimatie-oven, waarbij het silicium van het oppervlakte migreerde en een laag koolstof achterliet. De koolstof organiseerde zich in grafeenlagen van één tot twee atomen dik. In deze grafeenlagen werden onder meer field effect-transistors gemaakt waarvan de prestaties momenteel worden geëvalueerd. De onderzoekers werken aan methodes om de elektronmobiliteit in de grafeen-wafers te verhogen en willen tevens 200mm-wafers, bruikbaar in commerciële processen, ontwikkelen.
