Onderzoekers hebben een methode ontwikkeld om de verwerking van grafeen tot halfgeleider-materiaal te vereenvoudigen: met een enkele stap kunnen p- of n-eigenschappen aan de lagen koolstof worden toebedeeld.
Hoewel grafeen zich een veelbelovend materiaal voor toepassing in elektronische circuits heeft getoond, dient het materiaal nog te worden gemanipuleerd alvorens het kan worden toegepast als bouwsteen in cmos-toepassingen. Voor een cmos-transistor, de meestgebruikte component in onder meer processors, dient het grafeen voorzien te worden van verontreinigingen die extra elektronen of extra gaten toevoegen: zo ontstaat respectievelijk een n-type of p-type halfgeleider.
Onderzoekers van het Georgia Institute of Technology hebben een eenvoudige manier ontwikkeld om grafeen te doteren met verontreinigingen en zo p- en n-type halfgeleiders te maken. Ze gebruiken commercieel verkrijgbare spin-on-glass-materialen om de koolstof-laagjes te doteren. Zij stelden daartoe dunne laagjes grafeen, met een dikte van één tot vier lagen, bloot aan het sog-proces, waarna het grafeen met een elektronenstraal werd bewerkt. Die straling veroorzaakt het doteer-proces en kan zeer precies worden gereguleerd. Volgens de onderzoekers is een nano-ribbon van op deze manier bewerkt grafeen tien keer beter in staat elektriciteit te geleiden dan onbehandeld grafeen.
Het proces is relatief eenvoudig: het gebruikte materiaal, HSQ, kan zowel de elektronen als de gaten leveren: andere onderzoekers gebruikten verschillende toevoegingen om dat te bewerkstelligen. Bovendien stelt het gebruik van de elektronenstraal, die een diameter van vier tot vijf nanometer heeft, hen in staat zeer precieze patronen te volgen. De elektronenstraal zou in massaproductie-procedé vervangen kunnen worden door normale lithografie, waarbij het masker voor variatie in ontvangen stralingsenergie - en derhalve in p- of n-type dotering - zou zorgen.