Materiaalkundigen hebben een nieuw wapen in handen om de eigenschappen van theoretische materialen te bepalen met een computer. Een algoritme kan de atomen, en daarmee de eigenschappen, van het materiaal simuleren.
Teneinde nieuwe materialen te ontwikkelen, trachten onderzoekers vaak het beoogde materiaal eerst te simuleren in een computermodel, voordat er tijd en geld gestoken wordt in de synthese. Bij de simulatie worden complexe algoritmes toegepast die van quantummechanische regels gebruik maken om de eigenschappen van moleculen of atomen te simuleren. De berekeningen die voor het oplossen van de vergelijkingen nodig zijn, vergden zoveel rekenkracht dat onderzoekers vaak slechts enkele honderden atomen konden simuleren. Dat is voldoende voor perfecte, foutloze materialen, maar vaak komen juist interessante eigenschappen naar boven wanneer fouten, bijvoorbeeld in kristalstructuren, optreden.
De simulaties waar Emily Carter en student Chen Huang van de Princeton-universiteit aan werken, zijn mogelijk dankzij het oplossen van een vergelijking die in de jaren twintig van de vorige eeuw werd opgesteld. Die vergelijking, die als de Thomas-Fermi-vergelijking bekend staat, bleek ruim tachtig jaar moeilijk te berekenen. De stelling van Thomas en Fermi, beide natuurkundigen, voorspelde dat de kinetische energie van elektronen berekend kan worden op basis van de distributie van de elektronen in het atoom: de materiaaleigenschappen houden daar direct verband mee. Zij gingen daarbij uit van een theoretisch gas, niet van echte, fysieke materialen.
Carter en Huang hebben een model voor echte materie op basis van de Thomas-Fermi-vergelijking ontwikkeld dat vrij eenvoudig door computers berekend kan worden. Daarmee kunnen processors de eigenschappen van een nieuw materiaal tot honderdduizend maal sneller berekenen dan wanneer de huidige methodes, die de energie van elk atoom afzonderlijk moeten berekenen, gebruikt worden. De vergelijking van Carter en Huang kan toegepast worden om tot een miljoen atomen van nieuwe nanomaterialen, zoals koolstof-nanobuisjes, te simuleren en te ontwikkelen. Ook halfgeleider-eigenschappen kunnen zo voorspeld worden.