Twee groepen onderzoekers hebben vorderingen gemaakt bij de ontwikkeling van transistors op basis van koolstof nanobuizen. De ene groep heeft de dichtheid van nanobuizen vergroot, terwijl een tweede groep een aparte gate produceerde.
De gate, die geschikt is voor transistors die uit een enkele koolstof nanobuis bestaan, omvat het nanobuisje niet volledig, wat betere eigenschappen aan de transistor geeft. De silicium ondergrond werd weggeëtst tot alleen twee contactpunten voor een nanodraad en heuveltje voor het channel overbleven. De nanodraad wordt over het overgebleven siliciumheuveltje gedrapeerd. Omdat de cnt 'los' over het substraat ligt, konden de onderzoekers van de Lund- en de New South Wales-universiteit deze voorzien van een gate-coating, in dit geval een isolerende laag met daarboven weer een metaallaag.
Samen met de coating om de cnt heen vormt koolstofbuis de gate van de zogeheten Finfet. De nanotechnologen hebben voor het eerst een dergelijke structuur door middel van natte etstechniek om een cnt heen geproduceerd. Door de concentratie van het etsmiddel te variëren, kon ook de lengte van de metalen 'hoes' om het channel heen gereguleerd worden.

Deze gate-structuur zou de transistor niet alleen sneller laten schakelen, maar de transistors zijn dankzij een goede channel-gate-koppeling ook goed aan te sturen. Ten slotte zijn de yields, ofwel het percentage succesvol geproduceerde transistors, vrij hoog.
Aan de universiteit van Stanford werken onderzoekers aan een methode om transistors met zeer veel nanobuisjes te bouwen. Die kunnen hogere stromen aan dan transistors met één cnt. Probleem met een woud aan cnt's, die op een substraat zitten als haren op een borstel, is de dichtheid en de ordening van de buisjes. De onderzoekers van Stanford hebben een techniek ontwikkeld om de dichtheid te vergroten door de cnt's van diverse groeistappen naar een siliciumdioxide-substraat over te brengen.

Zo is de dichtheid lineair afhankelijk van het aantal groeistappen. Vooralsnog werden de cnt's van vijf stappen gecombineerd, goed voor een dichtheid van ongeveer honderd cnt's per micrometer. Bij een meting met dichtheden van 2 en 8 cnt's per micrometer, vier stappen dus, nam de stroom toe van 4,3 tot 17,4 micro-Ampère per micrometer.