Wetenschappers van de universiteit van Illinois hebben koolstof nanobuizen gebruikt voor de productie van zuinig geheugen. Hun phase change-geheugen zou dankzij de nanobuizen met minder energie toekunnen dan andere varianten.
Onderzoekers werken al geruime tijd aan het gebruik van phase change-materiaal als informatiedragers in geheugen. Dat materiaal kan een amorfe en een kristallijne vorm aannemen, waarbij de interne weerstand van de twee toestanden, of phases, verschilt. De hoge en lage weerstand representeren respectievelijk een 1 en een 0. De overgang van de ene naar de andere toestand wordt bewerkstelligd door het materiaal elektrisch te verwarmen. Afhankelijk van de temperatuur wordt de kristallijne of de amorfe toestand verkregen. Traditioneel worden metalen draden als verwarmingselementen gebruikt, maar de Amerikaanse onderzoekers vervingen het metaal door koolstof nanobuizen.
De nanobuizen die door de Illinois-medewerkers werden gebruikt, zijn zowel enkel- als meerwandige koolstofbuizen. De buisjes werden bevestigd aan metalen contactpunten en het phase change-materiaal werd in zogeheten nanogaps, of kleine onderbrekingen in de buisjes, aangebracht. Een toplaagje siliciumoxide werd gebruikt om de levensduur van de constructies te verlengen. Uit metingen bleek dat de stroom die nodig is om de toestandsveranderingen teweeg te brengen tussen de 1 en 8 micro-ampère bedraagt. Dat zou twee ordegroottes minder zijn dan in opstellingen met metaaldraden.
De lagere schakelstromen worden vooral mogelijk gemaakt door de zeer kleine phase change-bits die het systeem van de Amerikanen mogelijk maakt; alleen het materiaal tussen de nanogaps moet van toestand veranderen. Het zuinige phase change-geheugen zou in de toekomst kunnen worden ingezet in draagbare apparatuur zoals mobiele telefoons, laptops en tablets.
/i/1300182805.jpeg?f=imagenormal)