De samenwerkende onderzoeksafdelingen van Intel en Numonyx hebben aangekondigd met succes meerdere lagen phase change-geheugen te kunnen stapelen, zodat de capaciteit van pcm-geheugenchips vergroot kan worden.
Chipfabrikant Intel en geheugenfabrikant Numonyx werken sinds vorig voorjaar samen aan de ontwikkeling van phase change-geheugen. Dat relatief nieuwe type geheugen moet de snelheid van dram combineren met de retentie van flashgeheugen: ook zonder spanning houdt phase change-geheugen, of pcm, gegevens vast. Beide bedrijven hebben gewerkt aan de uitbreiding van de capaciteit van het nieuwe geheugen en melden daarin geslaagd te zijn door chips te ontwikkelen die gestapeld kunnen worden.
Door meerdere lagen geheugenchips te stapelen, kunnen 64Mb-chips gelaagd worden tot een zogenoemde 'verticaal geïntegreerde geheugencel'. De verschillende lagen pcm worden middels een Ovonic Threshold Switch aaneengeschakeld en behouden daarbij hun intrinsieke snelheid. Dankzij de ontwikkeling zou pcm in de nabije toekomst als vervanging voor nand-geheugen ingezet kunnen worden en in geheugenkaarten ingezet kunnen worden.
De cellen in het pcm bestaan uit een kleine cellen van een speciaal soort glas: de phase change-benaming is afkomstig van de verandering in de toestand van dat glas: door warmte verandert de toestand van het glas van kristallijn naar amorf en weer terug. De pcm-lagen worden verbonden door de OTS-laag die als een thin film tussen de 64Mb-pcm-lagen wordt aangebracht. Cmos-technologie moet het pcm aansturen. Intel en Numonyx zullen hun vorderingen in een op 9 december te verschijnen publicatie uit de doeken doen.
