Toevallig is de lage density een van de vele nadelen van PCM t.o.v. Flash: het geheugenelement moet in de backend gemaakt worden en er is een transistor per cel nodig voor de adressering van het geheugen en dus ook mindstend 1 contact om het geheugenelement met de transistor te verbinden (ter verglijking: een Flash geheugencel bestaat uit 1 transistor en een half contact voor NOR of zelfs geen contact voor NAND, waardoor een Flash cel sowieso kleiner is dan een PCM cel).
Bovendien is een zeer sterke stroom nodig om de PCM cellen te programmeren en wissen, zodat hiervoor geen minimum grootte transistor gebruikt kan worden (en zelfs voorgesteld is BJT's ipv MOS transistors te gebruiken, wat het proces een stuk duurder maakt) en de densiteit dus zeker lager zal zijn dan van Flash geheugen.
Wat ik mij vooral afvraag is wat de nieuwswaarde is van dit bericht: PCM geheugens (of PRAM, maar PCM is bij mijn weten de meest gebruikte naam) die veel meer dan de hier vermelde 400.000 cycles verdragen zijn jaren geleden al gedemonstreerd. Zie bijvoorbeeld
ftp://download.intel.com/technology/silicon/Ovonyx_pres.pdf daterende van 2002 waarin meer dan 100.000.000.000 cycles aangetoond zijn op circuit-niveau.
Terzijde, er zijn zeer veel alternatieve concepten voor niet-vluchtig geheugen, maar de meeste experts zijn het er mee eens dat, zolang Flash geheugen nog kleiner gemaakt kan worden (waarbij de grens misschien ergens rond 45nm of 32nm ligt, tenzij nieuwe ontdekkingen of trucs toelaten die grens nog verder te verschuiven), waarschijnlijk geen enkel van de voorgestelde concepten een waardig alternatief zal zijn. Sommige van de 'nieuwe' concepten van nu zijn zelfs al ouder dan Flash, maar worden nu weer bovengehaald omdat voorspeld wordt dat Flash ooit niet meer verder zal kunnen schalen.