Een door de Taiwanese regering gesteund onderzoeksinstituut denkt over drie jaar met geheugenchips op basis van phase-changetechnologie te kunnen komen. Prototypes van pram-geheugen zijn al gedemonstreerd.
Het Industrial Technology Research Institute is vrijwel zeker niet het eerste bedrijf dat pram-chips op de markt zal brengen. Samsung, 's werelds grootste geheugenfabrikant, toonde vorig jaar al een werkend prototype van 512Mb en denkt bovendien het geheugen begin volgend jaar te kunnen leveren. Intel liet in maart zelfs weten nog dit jaar met de nieuwe generatie geheugenchips met een capaciteit van 128Mb te komen. Daarnaast ontwikkelen ook IBM, Qimonda, STMicroelectronics, Hynix Semiconductor en Ovonyx phase-changegeheugen.
De oplossing van het Taiwanese onderzoeksinstituut zou volgens Infoworld echter tot modules met een grotere capaciteit of andere betere eigenschappen kunnen leiden. Het instituut is de ontwikkeling van het geheugen twee jaar geleden samen met zes Taiwanese chipfabrikanten begonnen. Het samenwerkingsverband heeft inmiddels vijftig patenten met betrekking tot de technologie toegekend gekregen. Pram heeft net als flashgeheugen geen stroomvoorziening nodig om gegevens te behouden, maar data kan dertig keer zo snel geschreven worden en de levensduur ligt tien keer hoger.