IBM en TDK gaan STT-ram ontwikkelen

IBM en TDK gaan zich samen op de ontwikkeling van spin torque transfer ram of STT-ram storten. Binnen vier jaar moet het eerste 65nm-prototype van de band rollen.

Bij STT-ram wordt een magneet onder stroom gezet om de richting van het magnetische veld te veranderen. De verandering van richting veroorzaakt een wijziging van de weerstand, die te registreren is als een 0 of een 1. STT-ram is een van de kandidaten die uit kan groeien tot een universele geheugenstandaard. Grandis ging IBM en TDK al voor bij de ontwikkeling van dit type geheugen. Het bedrijf fabriceert momenteel testexemplaren en hoopt eind volgend jaar de eerste producten op de markt te brengen.

IBM heeft zich lange tijd bezig gehouden met de ontwikkeling van de conventionele variant van Mram. Het probleem bij deze technologie is dat het lastig blijkt het productieproces te verkleinen. IBM heeft Mram-prototypes ontwikkeld op 90nm en 65nm, maar bij verdere miniaturisering moet het magnetische veld zodanig worden versterkt dat het lastig wordt data te schrijven.

Een andere kandidaat die goede papieren heeft om in de toekomst de standaard te vormen is phase change- of pramgeheugen, waar IBM zich ook mee bezig houdt. Het voordeel dat STT-ram heeft boven deze techniek is dat het sneller is en, waarschijnlijk, langer mee gaat. IBM richt zich op de ontwikkeling van geheugen vanwege de relatie met de chipfabricage. 'Je kunt geen systeem op een chip maken zonder vorm van nonvolatilegeheugen', aldus Bill Gallagher van IBM.

Reacties (11)

[reb65]

Interessante ontwikkeling, echter een ding begrijp ik niet helemaal:

Dus omdat de huidige techniek moeilijker kleiner dan 65nm te produceren valt, bedenken we een nieuwe techniek of beter gezegt brengen we een nieuwe techniek op de markt die we voor het gemak om te beginnen maar op 65 nm produceren. Is het dan niet handiger om direct lager in te schalen dan 65nm zodat je in ieder geval weet dat de reden waarvoor je het doet ook haalbaar is?
Daarnaast wat is het voordeel van 65nm STT ram ten opzichte van 65nm Mram wat zich al heeft bewezen.

[Reactie gewijzigd door reb65 op 24 juli 2024 08:25]

[Bravo]

Ik denk dat het kosten plaatje ook een rol speelt. Ontwikkeling op 65 nm is altijd nog goedkoper dan op 45 nm omdat evt bij effecten een minder grote rol spelen, waardoor het product eerder marktklaar kan zijn.

[xtrme]

dan moet daarvoor de techniek wel voor handen zijn

[Verwijderd]

Daarnaast wat is het voordeel van 65nm STT ram ten opzichte van 65nm Mram wat zich al heeft bewezen.

Ik denk niet dat IBM zomaar zijn research op straat zal gooien om ons duidelijk te maken waarom ze precies in de techniek investeren. Misschien zijn er al veelbelovende prototypes, die misschien zelfs een lagere latency hebben dan conventionele RAM,... Het is gissen, maar gezien de reputatie van IBM zou ik er toch op rekenen dat STT RAM enkele grote voordelen heeft.

[mae-t.net]

Direct lager inzetten klinkt leuk, maar er staat hierboven duidelijk dat de benodigde magneetvelden dan te sterk zijn om practisch te zijn. Met de ontwikkeling van de techniek zal dat wellicht verbeteren, maar het is handig om dan alvast een goed werkend systeem te hebben met techniek die op dat moment haalbaar is. Sterker nog, onderzoek daaraan kan juist leiden tot de gewenste verkleiningen.

[elhopo]

bestond zoiets al niet onder de noemer ringkerngeheugen..? (jaren 60-70)

[mae-t.net]

Daar moest ik ook meteen aan denken. Er is hier echter geen sprake van kerntjes voorzover ik begrijp, maar van miniscule magnetiseerbare deeltjes die op miniscule magnetoresistieve elementjes zitten. Ik stel me dan een soort harddisk voor, maar dan zonder bewegende delen en met evenveel koppen als magnetiseerbare deeltjes.

[Eomer]

ah bedankt, ik vroeg me al af hoe ik het voor me moest zien

[graey]

Dit schijnt thuis te horen in een forumtopic