Toshiba en NEC hebben naar eigen zeggen een nieuw type MRAM-geheugen gebouwd dat alle snelheidsrecords verbreekt, het geheugen is namelijk lees- en beschrijfbaar met een snelheid van 200MB/s. Daarnaast heeft het geheugen ook de hoogste dichtheid van alle beschikbare MRAM-geheugens op dit moment. MRAM moet in de toekomst flashgeheugens gaan vervangen als opslagmedium. Het grote voordeel van MRAM is dat het een veel langere levensduur heeft in vergelijking met flash dat maar een beperkt aantal malen beschreven kan worden. Dit komt omdat MRAM de gegevens opslaat als kleine magnetische velden. Bij flash geheugens wordt dit echter gedaan door fysieke veranderingen aan te brengen.
De verhoging van de snelheid werd bereikt door de weerstand waarmee het geheugen wordt beschreven en uitgelezen ongeveer 38% kleiner te maken. Dit werd bereikt door een brug in het midden van de cellen aan te brengen waardoor de weerstand beter verdeeld kon worden. Daarnaast werd het circuit geoptimaliseerd waardoor er een hogere dichtheid bereikt kon worden. De complete details van deze technologie werden tijdens International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) in San Fransisco, 6 februari jongstleden, getoond.
