Infineon en IBM hebben aangekondigd dat zij in 2004 een 128Mbit of 256Mbit Magnetic RAM chip op de markt willen brengen. Beide bedrijven hebben hiervoor de Altis Semiconductor joint venture in het Franse Corbeil-Essonnes opgericht. Het is de bedoeling dat de MRAM chips op deze locatie met een 0,13 micron procédé in productie gaan. Tot nu hebben IBM en Infineon in de research laboratoria van IBM gewerkt aan de ontwikkeling van 1Mbit MRAM arrays op een 0,18 micron CMOS procédé.
Infineon en IBM ondervinden bij de uitvoering van hun plannen concurrentie van Motorola. Het bedrijf heeft inmiddels werkende demonstratie apparatuur en wil over twee jaar beginnen met de levering van 4Mbit MRAM samples. Dit suggereert dat Motorola in de race naar de markt een lichte voorsprong heeft op Infineon en IBM:
"We're a going for a 256-Mbit-class memory," said Helmut Klose, senior director of technology development at Infineon, indicating that could mean either a 128-Mbit or a 256-Mbit device. "We need a reasonable size — a demonstrator that could become a lead product to debug the process. We are trying to get agreement on this very first lead product."[...] The duo's ambitious plans for magnetic RAM contrast with those of Motorola's Semiconductor Product Sector, the other major semiconductor company so far committed to an MRAM introduction. Motorola executives said in February that the company would probably produce a 4-Mbit MRAM in a process technology on the order of 0.2 micron.
Magnetic RAMs hebben een aantal erg interessante eigenschappen die deze technologie tot een ideale opvolger voor Flash, DRAM en SDRAM geheugens maakt. MRAMs zijn goedkoper dan DRAMs, sneller dan SRAMs en verliezen evenals Flash RAMs geen data als de spanning wegvalt. Meer informatie over de werking van MRAM chips vind je in dit artikel van Tech Extreme.
![]() |