Bij Tech Extreme heeft men een interessant artikel geschreven over de werking en de voordelen van magnetisch geheugen, oftewel MRAM. Deels gebaseerd op de technologie van harde schrijven en deels op die van DRAM is een geheugensoort ontstaan die de eigenschappen van Flash heeft zonder de nadelen ervan. De voordelen zijn het lage stroomverbruik, het instant-on principe en de goedkope productie. Dat laatste punt is echter nog een klein probleempje, MRAM is namelijk al gemaakt, maar er moeten nog methodes bedacht worden om het in grote aantallen en dichtheden goedkoop te bakken. Daarbij moet het ook nog bestand zijn tegen vrij hoge temperaturen. Hier in het kort de werking ervan:
Sandwiched between two magnetic layers, a current is used to change the polarity (1 or 0, positive or negative). Contrast this with how hard drives work (small magnetic tip on actuator). Obviously, currents are much faster and operate at speeds not determined by how fast some platter spins. However, the polarity must still be read by some sort of magnetically sensitive device, and the speed at which it can be read limits the overall speed of the memory. Still, using currents IBM scientists were able to bring MRAM into the realm of Random Access Memory and out of Hard Drive territory and gave it speeds in the low-nanosecond range. Some extremely high-performance SRAM might still be able to beat MRAM in its current form – but it is unlikely that people would prefer SRAM over this new technology.
Bedankt voor de tip Mecallie.