SiliconStrategies meldt dat IBM Microelectronics en Infineon Technologies twee jaar na Motorola de markt voor Magnetic Random Access Memory (MRAM) zullen betreden. Motorola wil tegen het einde van dit jaar apparaten presenteren waarin MRAM verwerkt is. Altis Semiconductor (de joint-venture van IBM en Infineon) denkt pas eind 2005 hetzelfde te kunnen. Het grote verschil tussen het huidige RAM-geheugen en MRAM is dat MRAM gebruik maakt van magnetisme om data te bewaren. Het voordeel hiervan is dat data ook bewaard blijft zonder elektriciteit. Altis dacht eerder nog dat tegen het einde van dit jaar de eerste repen geheugen klaar zouden zijn:
“I think that executive was a little bit ambitious,” the spokesperson said. “It was two years ago. We were loaded with customers and still qualifying copper technology back then. Now today we have fully qualified 0.18-micron and 0.13-micron copper processes.”
[...] “It's a three-year program. It will be the end of 2005, or the beginning of 2006,” the spokesperson said confirming that Altis intends to spend 170 million euro (about $200 million) and create about 140 engineering positions over the next three years. "We plan to have about 30 to 40 engineers by the end of the year."