TSMC werkt met overheid aan ontwikkeling van MRAM

De EE Times houdt ons op de hoogte van de laatste ontwikkeling op het gebied van MRAM. Naast IBM, Infineon en Motorola werkt nu ook TSMC aan een methode om magnetisch geheugen te bakken. Het bedrijf wordt daarbij geholpen door de ERSO, een lokale overheidsinstelling. De EE Times vermoedt dat de Taiwanezen zich in eerste instantie vooral gaan richten op chips met kleine capaciteit voor embedded toepassingen. Onderzoekers van IBM hebben bepaald dat het gebruik van MRAM grote voordelen heeft boven bestaande technieken. Schrijven kan 20 en 1000 keer sneller dan respectievelijk DRAM en flash geheugen. Ook de access time van 3ns is zeer gering. Bijkomend voordeel is dat het geheugen - omdat het niet steeds ververst moet worden - nog geen honderste van de stroom van DRAM gebruikt. Ook is MRAM minder gevoelig voor fouten die ontstaan door hoge dichtheid:

The first devices are expected to find application in such areas as satellites, portable medical electronic devices and advanced, third-generation cell phones. MRAM's resistance to radiation is one reason it is also considered a prime replacement for SRAM, which is expected to suffer more and more from density-induced soft error rates as it scales below 0.10 micron.

Until now, only large integrated device manufacturers (IDMs) have made any substantial headway in developing MRAM device technology. Motorola plans to sample a 4-Mbit MRAM in 2003 on the way to a widespread introduction in 2004. Last year, the company displayed a 256-kbit chip built in a 0.6-micron CMOS process. IBM is testing a 1-Mbit version at 0.18 micron and plans to introduce a 256-Mbit commercial version, based on a 0.13-micron process, by 2004.

Verwijderd stuurde de link, bedankt!

Reacties (13)

[EntonoX]

ik vraag me af hoe groot het geheugen kan worden. Omdat er wordt gezegd dat fouten op een hoge dichtheid minder voorkomen denk ik dat we dus hiermee veel meer capaciteit hebben en toch binnen de afmetingen van de huidige modulen kunnen blijven...

[Vastloper]

Dat er op een hogere dichtheid minder fouten voorkomen betekent absoluut niet dat je een hogere capaciteit kan krijgen dan bestaande geheugensoorten. Alleen maar dat je makkelijker over kan schakellen op kleinere process technologie. Alleen de process technologie zal niet snel kleiner worden dan bij dram of sram, omdat dit voor een groot deel nog steeds gelijk is.

De capaciteit van dit geheugen hangt af van de hoeveelheid eletronica die per bit nodig is en dit is waarschijnlijk nog een stuk groter dan dram waardoor je dus niet dezelfde capaciteit kunt maken in dezelfde modules als je bij dram kunt halen met dezelfde process technologie.

[Ruuddie]

Maaruh, als dit werkt dmv. magnetisme, gaat de geheugen module dan de andere hardware niet een beetje verstoren? Ik bedoel, je zet je MRAM bankjes naast de processor, er komt stroom doorheen zodat ze magnetisch geladen worden, en door die magnetisme gaat stroom door de processor nét iets anders lopen, waardoor hij ongelooflijk instabiel wordt

[BadRespawn]

het magnetish veld van dat geheugen zal niet sterker zijn dan het magnetish veld van bvb de systeemluidspreker en de motoren vd ventilatoren.

[TheOneLLama]

Je HDD werkt ook met magnetisme om maar wat te noemen.. het gaat hier natuurlijk om geringe verschillen, het niet zo dat al je bestek opeens naar je computer vliegt als naar je geheugen aan het schrijven bent..

[Blasterxp]

Hmm, het zou mooi zijn.

De memory benchmark van mijn pc is dacht ik redelijk, een beetje extra kan geen kwaad.

[roelio]

voordat dit geheugen goedkoop genoeg is om met honderden megabytes tegelijk in een PC te stoppen, zijn we wel een flink aantal jaren verder, waarom dacht je dat ze het hier hebben over satellieten (zijn toch al duur), mobiele telefoons (hebben niet zoveel RAM nodig), etc. ?

[witchdoc]

Schrijven kan 20 en 1000 keer sneller dan respectievelijk DRAM en flash geheugen

Moet dat niet net andersom zijn? DRAM is toch stukken sneller dan flashgeheugen?

[Munters]

Klopt dan toch?
MRAM is dan 100 x sneller dan Flash en 'maar' 20 x sneller dan DRAM.

[Verwijderd]

wat =poohbeer= zegt KLOPT ja, moet andersom zijn !

NIET zoals =Pietje de Pukkelaar= zegt !

[gp500]

dat van sattelieten is om dat het geheugen bestand is tegen straling

[Verwijderd]

ik vraag me af of het nog nut heeft om steeds zo door te gaan met nieuwe geheugen modules en proc's te ontwikkelen, alle systemen blijven hangen op de beperkingen van de HD, laat ze die maar ens flink onderhanden nemen... heb eens iets gelezen over een duizendpoot (N&T) al een heletijd geleden, verder heb ik daar nog nooit iets over gehoord.

[Verwijderd]

..de beperkingen van de HD, laat ze die maar ens flink onderhanden nemen...

precies dat zou met dit type geheugen, zodra het goedkoop genoeg wordt, gerealiseerd kunnen worden.
Uit het artikel valt op te maken dat het gaat om non-volatile geheugen, de inhoud blijft dus bewaard bij uitschakelen van het systeem. Dat op zich zou al een mega versnelling opleveren t.o.v. de huidige HD's, nog afgezien dat ze verwachten dat MRAM nog eens sneller te schrijven zal zijn dan de huidige geheugens.