Natuurkundigen in dienst van de Katholieke Universiteit van Nijmegen hebben een doorbraak bereikt op het gebied van MRAM technologie. Grote namen als Infineon, IBM, Motorola en TSMC werken al jaren aan magnetisch geheugen, omdat ze geloven dat het qua snelheid, stroomverbruik en productiekosten een goede opvolger van Flash, DRAM èn SRAM geheugen kan zijn. Er zijn inmiddels primitieve samples van beschikbaar, maar pas in 2004 zou de productie voorzichtig kunnen beginnen. De twee Nederlandse wetenschappers dragen daarbij een steentje bij, met hun methode om een magnetisch element binnen 0,2ns 'om te klappen'. Dit gebeurt coherent, wat wil zeggen dat er geen fluctuaties optreden tijdens de overgang. Hier een stuk uit het persbericht:
Deze elementen zijn geen transistors, maar twee magnetische laagjes met een tussenlaag. Door middel van de tunnel magneto resistance (TMR) kan de toestand van deze magnetische lagen bepaald worden zonder magnetische onderdelen te gebruiken.
De snelheid waarmee men een magnetisch geheugen kan schakelen is afhankelijk van de zachte laag, en wel van de snelheid waarmee de magnetisatierichting kan worden veranderd. En die dynamica is onderwepr van onderzoek van de Nijmeegse afdeling Vaste Stof fysica.
Een wat uitgebreidere uitleg is hier te vinden. Bedankt voor de tip ufrm244.
) die we dan gaan hebben.
maar door minder mensen nodig te hebben. 
