Texas Instruments zal op de komende International Electron Device Meeting zijn 64 Megabit FRAM-geheugen presenteren, die volgens het standaard 0.13 micronproces geproduceerd is, zo meldt Silicon Strategies. Hiermee richt het bedrijf zich nog meer op Ferro-electric RAM, dat een vervanger van embedded flash- en embedded DRAM-geheugen zou moeten worden. Het bedrijf zou in 2005 graag embedded FRAM-chips volgens het 0.09 micronproces willen produceren. Met de demonstratie van de 64 Megabit FRAM-chip op 0.13 micron is volgens topman Dennis Buss van TI bewezen dat het bedrijf in feite ook een demonstratiemodel op 0.09 micron zou kunnen produceren.
Volgens Buss wedijveren de chipbakkers momenteel volop om te achterhalen welke technologie de toekomst heeft: Ferro-electric RAM, Magnetic RAM of het door Ovonyx ontwikkelde Ovonic. Ondanks het feit dat TI een licentie- en ontwikkelingsovereenkomst is aangegaan met Ramtron, zal het bedrijf zich echter niet weer op de geheugenmarkt presenteren, iets wat Buss ook benadrukt door te stellen dat de 64 Megabit-chip puur als een demonstratie van de mogelijkheden van FRAM dient.