Epson en Fujitsu hebben de afgelopen anderhalf jaar samengewerkt om een nieuwe generatie ferroelektrisch ram te ontwikkelen. De prestaties van het nieuwe feram moeten de concurrentiepositie ten opzichte van flashram verbeteren.
De twee bedrijven hebben de doelstellingen van hun samenwerking behaald, zo meldt het persbericht. Er is een nieuwe ferroelektrische film - het basismateriaal van dit type geheugen - ontwikkeld, die een vier maal hogere opslagcapaciteit mogelijk maakt. Bovendien zijn de toch al hoge lees- en schrijfsnelheden van deze technologie met een factor drie verbeterd. De betrouwbaarheid op lange termijn is fors verbeterd: geheugen op basis van het nieuwe materiaal kan minstens honderd biljoen lees- en schrijfacties verwerken. Omdat de onderzoeksresultaten eenvoudig in bestaande cmos-productielijnen kunnen worden toegepast, kan de massaproductie van het fram- of feram-geheugen vrijwel direct van start gaan.
Ferroelektrisch ram gebruikt, net als flashgeheugen, alleen stroom als er daadwerkelijk mee gecommuniceerd wordt, maar dit geheugen is zo mogelijk nog zuiniger. Epson wil dan ook de boer op met geheugenchips voor draagbare devices. Fujitsu gaat de nieuwe elektronica gebruiken voor beveiligingsapparatuur, waarbij de grote betrouwbaarheid een pre is; daarnaast hoopt dit bedrijf de markt voor zijn bijpassende microcontrollers te vergroten. Of de twee hiermee eveneens succesvol zullen zijn, moet even worden afgewacht: ook de betrouwbaarheid van flashgeheugen heeft in de afgelopen paar jaar een grote sprong voorwaarts gemaakt, en de capaciteit van courante flash-chips is nog altijd vele malen groter dan die van de nieuwe feram-producten. De techniek lijkt dan ook voorbestemd voor een nichemarkt, waarbij de snelheid en het lage stroomverbruik van feram van doorslaggevend belang zijn.
/i/1234174522.png?f=fpa)
:strip_exif()/i/1171797518.jpg?f=fpa)
/u/129550/crop56f4f43ec16da.png?f=community){kind=small}
/u/13831/icon.png?f=community){kind=icon}
