Toshiba heeft de capaciteit van zijn feram-geheugenchips weten te vergroten tot 128Mbit. Daarnaast heeft de Japanse elektronicafabrikant de lees- en schrijfsnelheden van zijn ferroelektrisch ram flink weten te verhogen.
Ferroelektrisch ram weet de hoge lees- en schrijfsnelheden van dram-geheugenchips te combineren met de mogelijkheid van flashgeheugens om gegevens vast te houden zonder spanning. Toshiba sleutelt al een aantal jaren aan de geheugenarchitectuur, maar mede door de hoge kostprijs en de concurrentie van goedkope flashmodules is het nog nooit tot een commercieel rijp product gekomen.
De laatste feram-chip die de fabrikant in 2006 ontwikkelde, beschikte nog over een opslagcapaciteit van 4MB en een doorvoersnelheid van maximaal 200MB/s. De Japanse elektronicafabrikant zal echter deze week op de International Solid-State Circuits Conference in San Francisco een prototype met een opslagcapaciteit van 16MB tonen, zo schrijft EETimes. De 128Mbit-feramchip, waarbij elke geheugencel een oppervlak van 0,25µm² beslaat, zou lees- en schrijfsnelheden van 1,6GB/s weten te behalen.
Toshiba werkt bij de ontwikkeling van feram-chips onder andere samen met Fujitsu. Ferroelektrisch ram zou volgens de Japanse fabrikant onder andere gebruikt kunnen worden als cache-geheugen in processors. Toshiba zegt echter vooralsnog geen concrete plannen te hebben om zijn feram-technologie op de markt te gaan brengen.