Hynix heeft een persbericht uitgegeven waarin ze berichten dat ze vandaag zijn begonnen met het leveren van de eerste commerciële FeRAM-chips. De FeRAM-chips combineren de voordelen van Flash-geheugen met die van DRAM waardoor ze uitermate geschikt zijn om te gebruiken in mobiele apparaten. Voorlopig zijn de chips alleen verkrijgbaar met capaciteiten van 4 en 8Mbit, maar volgens Hynix kan dit in de toekomst zonder moeite uitgebreid worden naar 64Mbit.
De chips worden gebakken met behulp van een 0,25 micron productieprocédé, hebben een toegangstijd van 70ns en kunnen 100 miljard lees- en schrijfoperaties overleven. Per bit is er op de chip slechts één transistor en condensator nodig, de helft van het aantal dat de concurrentie nodig heeft. Dat Hynix hard bezig is geweest met de ontwikkeling van FeRAM-technologie blijkt wel aan het aantal patenten dat het bedrijf heeft ingediend:
In addition, by applying new circuit concepts and ferroelectric materials BLT (Bismuth Lanthanum Titanate), Hynix has dramatically improved FeRAM's stability and device reliability while shrinking its die size.
[...] Hynix has applied for more than 150 US patents for FeRAM Technologies. The company expects rapid market penetration of FeRAM in mobile and multimedia applications including handsets, PDA's, smart phones and smart cards and projects the FeRAM market to reach 10 billion dollar scale by 2006.