Na Toshiba bereiken nu ook Samsung's 512Mb flash geheugenchips het stadium van massaproductie. Het product zal volgens Samsung ook in een 1Gb stacked dual-die uitvoering leverbaar zijn en tevens in de vorm van 128MB SmartMedia uitkomen. De geheugens worden geproduceerd met een 0,15micron procedé. Door een verlaging van het benodigde voltage, zou het schrijven van data met zo'n 30% sneller moeten kunnen verlopen:
Samsung Electronics announces its new 512Mb NAND flash memory device utilizing 0.15 micron technology is entering mass-production. This product will be available in a 512Mb single-chip package, part number K9F1208U0M-YCBO/YIBO as well as a 1Gb stacked dual-die package, part number K9K1G08U0M-YCBO/YIBO. 128MB SmartMedia will also be available.
This new high-capacity part is ideal for use in data storage applications in consumer handheld products such as digital cameras, MP3 players, Palm PCs and PDAs.
The technology employs a new storage cell structure operating on a lower than normal voltage which has the beneficial effect of reducing programming time. This increases data write speeds by as much as 30%. This is especially beneficial in applications such as image writing in digital photography, allowing pictures to be taken in a faster sequence.
![]() |