In een artikel op X-Bit Labs is te lezen dat Samsung alweer de derde generatie RDRAM chips aan het bakken is. In den beginne vond de productie nog plaats op 0,19 micron en dat is daarna al snel verkleind naar 0,17µ. Deze nieuwe generatie wordt echter gebakken op een 0,15 micron procédé en dat maakt voor het eerst commercieel aantrekkelijke 256Mbit chips mogelijk, die vanaf eind dit jaar het belangrijkste product moeten zijn. Verdere voordelen zijn de 30% lagere kosten en de mogelijkheid om de kloksnelheid op te voeren naar 1GHz. De vierde generatie van 0,13 micron staat ook al op de roadmap, eind dit jaar zullen de kosten dus wederom 20 tot 30% omlaag gaan. Samsung gelooft dat RDRAM op dat moment zelfs goedkoper kan worden dan DDR geheugen. SiliconStrategies heeft verder nog een stuk over SRAM:
Samsung Electronics Co. Ltd. today announced the start of volume production of low-power 8-megabit SRAMs using a new 0.13-micron process technology. Samsung said it is planning to launch a 16-Mbit version of the low-power SRAM using the 0.13-micron process in the fourth quarter of 2001.
According to the Korean memory maker, the 0.13-micron process moved into volume production three months ahead of schedule. Full-scale fabrication in wafer fabs expected to be achieved in the fourth quarter. The company did not release information on wafer starts or chip volumes planned with the new process.
The low-power 8-Mbit SRAM, designated K6F8016U6B, is aimed at next-generation mobile phones, which need low-power static memories for video, audio and data capabilities, according to Samsung.
Bedankt voor de link JAMF.