Samsung heeft de ontwikkeling afgerond van sneller en goedkoper PC1066 RDRAM, medlt ZDNet News. Volume productie is gepland voor het tweede kwartaal van volgend jaar. De nieuwe RDRAM chips zullen een dichtheid hebben van 576 megabits per chip en een kloksnelheid van 1066MHz, wat een verbetering is ten opzichte van de 256 megabits en 800MHz van de huidige chips. Samsung claimt dat dit nieuwe RDRAM vier keer zo snel data kan verwerken als 266MHz DDR SDRAM.
De kostprijs kan volgens het bedrijf omlaag gaan, omdat Samsung de chips gaat produceren met een 0,12micron procédé, waardoor er meer van de kleinere chips uit een wafer gehaald kunnen worden. Samsung streeft er in de komende vier jaar naar, de kloksnelheid van RDRAM verder op te krikken naar 1,2GHz, waarbij de geheugenbandbreedte vergroot zal worden naar 9,6GB per seconde:
The chips are likely to be packaged in RDRAM inline memory modules (RIMMs) with a capacity of 1GB or greater. At the same time, the faster memory would likely be paired with a faster 533MHz Pentium 4 front-side bus, which Intel is expected to launch next year. The bus provides a data pathway between the processor and system memory. Current Pentium 4 chips feature a 400MHz bus.But despite its higher speeds, RDRAM has seen slow adoption rates because of production delays and high initial costs. As a result, the technology is currently available only in high-end Pentium 4 systems. PC makers chose to use standard SDRAM for higher-volume, lower-priced Pentium 4 PCs, based on Intel's recently introduced 845 chipset.