Een prototype van magnetoresistief ram zou gegevens vele malen sneller verwerken dan conventioneel geheugen. Ook vergeleken met de huidige mram-modules zou het in Duitsland ontwikkelde geheugen tien keer sneller zijn.
Mram, of magnetoresistief ram, slaat de logische 1 of 0 op door de polariteit van het magnetisch veld van een klein gebiedje of cel te beïnvloeden. Een mram-cel is opgebouwd uit een vaste magneet die zich onderin een kleine pilaar bevindt en een variabele magneet die bovenin de pilaar is te vinden. Het variabele magnetische veld kan onder invloed van een stroompje door de vaste magneet van polariteit veranderen en zo data opslaan. Het omdraaien van het variabele magnetische veld bovenin de geheugencel kost echter tijd, omdat de polen een aantal keren 'omdraaien' voordat ze zich stabiliseren en een 0 of 1 als opgeslagen kan worden beschouwd.
Bij spin-torque- of stt-mram wordt gebruikgemaakt van de quantummechanische spin van de elektronen in de stuurstroom. Wanneer de elektronen het magnetisch veld passeren, worden ze namelijk door dat veld als een soort kompasnaaldjes gelijkgericht. Deze gelijkgerichte spin zorgt vervolgens voor de polarisatie van de variabele magneet. De Duitse onderzoekers hebben nu theoretisch onderzoek gedaan naar de stabilisatie van stt-mram-cellen, en ze kwamen tot de conclusie dat de polen van stt-mram maximaal één rondje hoeven te draaien voor ze hun nieuwe oriëntatie hebben gevonden. Bovendien wisten zij de afmetingen van de pilaartjes terug te brengen tot een hoogte van slechts 165nm.
Door de duur en sterkte van de stuurstroom zorgvuldig te manipuleren, slaagden zij erin de werkelijke tijd die het magnetisch veld nodig heeft om zich te stabiliseren, gelijk te maken aan de benodigde tijd die hun theorie voorschreef. Daarmee zeggen de Duitsers dat hun stt-mram tien maal sneller is dan oudere mram-varianten. Het test-mram vergt omstreeks een nanoseconde om de polariteit van het magnetisch veld te wisselen; standaard dram doet ongeveer 30 nanoseconden over het wegschrijven van een bit. Het prototype dat de Duitsers bouwden, is echter nog geen volwaardige mram-module. Zo vergen de mram-cellen nu nog te hoge stuurstromen, die door conventionele halfgeleider-transistors niet geleverd kunnen worden.
/i/1260865964.png?f=fpa)
/i/1274343371.png?f=fpa)
:strip_exif()/i/1032192616.jpg?f=fpa)
:strip_exif()/i/1036537945.gif?f=fpa)
:strip_exif()/i/1296474747.gif?f=fpa)
:strip_exif()/i/1143116142.jpg?f=fpa)
:strip_exif()/u/160115/small.gif?f=community){kind=small}
/u/36659/crop65f402601bb24_cropped.png?f=community){kind=small}
:strip_icc():strip_exif()/u/140070/kalief.jpg?f=community){kind=small}
