Meer dan twintig Amerikaanse en Japanse halfgeleiderfabrikanten, waaronder Renesas en Micron, hebben de handen ineen geslagen om de ontwikkeling van mram te stimuleren en dram op termijn uit te faseren. In 2017 moet een gezamenlijke productietechnologie een feit zijn.
Onder de twintig bedrijven zitten bijvoorbeeld geheugenfabrikanten Renesas en Micron ook Hitachi, Tokyo Elektron, dat apparatuur voor chipproductie maakt, en wafermaker Shin-Etsu Chemical. Het samenwerkingsverband gaat ook proberen om Europese bedrijven over te halen om zich aan te sluiten.
Onderdeel is onder andere een project om extra onderzoekers bij de Tohoku University in Japan aan mram te laten werken, schrijft de Japanse krant Nikkei. De fabrikanten streven ernaar om overeenstemming te krijgen en afspraken te maken over het gebruikte materiaal voor mram, de productielijn-specificaties en de fabricagemethoden. In maart 2017 moeten de afspraken over de technologie rond zijn. Micron hoopt een jaar later de massaproductie te kunnen starten.
Mram of magnetoresistive random access memory wordt algemeen gezien als opvolger van dram, maar ook van sram en flashgeheugen. Het geheugentype is zuiniger, sneller en minder gevoelig voor slijtage dan huidige geheugentechnologie.
Magnetoresistief geheugen wordt opgebouwd uit twee lagen magnetisch materiaal, waarbij de eerste laag niet verandert en de tweede laag wel wordt beïnvloed. Data wordt uitgelezen door stroom door een magnetische dubbellaag te sturen. Wanneer de beide lagen dezelfde magnetische polarisatie hebben, zal de weerstand die dit stroompje ondervindt laag zijn, wat correspondeert met een binaire 1; wanneer de magnetische deeltjes een tegengestelde polarisatie hebben, dan is de weerstand hoog en kan een binaire 0 worden geregistreerd.
