Onderzoekers werken aan magnetisch halfgeleidermateriaal waarvan de elektrische geleiding zeer precies te regelen is. Ze maken hierbij gebruik van lagen van specifieke nitrides, die zowel magnetisch als geleidend zijn. De vinding is van belang voor universeel geheugen.
De onderzoekers werken al aan mram met magnetic tunnel junctions op basis van rare-earth nitrides of ren's. Dit zijn dunne films die in vacuüm groeien en zowel magnetische als halfgeleidende eigenschappen hebben. Nieuw is niet alleen dat de wetenschappers pure versies van de ren's laten groeien, maar ook dat ze willen controleren hoe de ren's elektriciteit gebruiken.
"Niemand heeft nog een magnetische halfgeleider gemaakt waarbij je de elektrische geleiding daadwerkelijk kan regelen", zegt Ben Ruck van het team, "Onze resultaten bieden wel een manier om de geleiding precies te bepalen, zodat je kunt schakelen van magnetisch naar niet-magnetisch." Het gaat om een team wetenschappers van de School of Chemical and Physical Sciences aan de Victoria University of Wellington.
De vinding is een belangrijke stap in de ontwikkeling van spintronics. Hierbij wordt het magnetische-spinmoment van elektronen gebruikt om data in mram-cellen op te slaan. Uiteindelijk moet deze ontwikkeling leiden tot universeel geheugen dat de snelheid van ram combineert met eigenschappen van flashgeheugen en dat data behoudt, ongeacht of er spanning op staat. Dit biedt weer tal van voordelen ten opzichte van bestaand geheugen op gebied van snelheid en verbruik.