Onderzoekers van de Amerikaanse Cornell University hebben een nieuwe manier gevonden om transistors ultradun te maken. Ze coatten een siliciumoppervlak met een oppervlak van enkele vierkante centimeters met een laag halfgeleidermateriaal van drie atomen dik.
De uitdaging bij het maken van bruikbare apparaten is om de miljarden transistors op een chip op uniforme wijze te produceren. Dat is het team van Jiwoong Park, scheikundige aan de Cornell University, gelukt: ze maakten uniforme oppervlakken van een halfgeleidermateriaal met een dikte van slechts drie atomen. Van de schakelingen die de onderzoekers daarmee maakten, werkte 99 procent.
De onderzoekers gebruikten een materiaal in de klasse van transitie-metaal dichalcogenides of tmd's als halfgeleider. Tmd's zijn geschikt voor het maken van transistors, lichtdetectoren, zonnecellen en led's, en kunnen daarnaast in extreem dunne lagen worden gemaakt, met een dikte van slechts enkele atomen. Dat maakt ze interessant voor toekomstige elektronica.
Eerdere studies probeerden zeer dunne lagen van het materiaal te verkrijgen door laagjes van een groter stuk af te strippen. Park en zijn team coatten in plaats daarvan een silicium-oppervlak van een aantal vierkante centimeters met het tmd-materiaal. Eerdere pogingen om een oppervlak te coaten met het materiaal gebruikten corrosieve en giftige stoffen, en leverden geen gelijkmatige coating op. Park en zijn team vonden een proces waarbij stoffen worden gebruikt die relatief veilig zijn, dat bovendien een uniforme coating oplevert.
Het procedé maakt ook driedimensionale circuits mogelijk. Wanneer de eerste laag halfgeleidermateriaal op de chip zit, kunnen er nog meer lagen worden bijgezet. Wel moeten er nog een aantal problemen worden overwonnen voordat de technologie praktisch inzetbaar is. Zo duurt het coaten nu 26 uur bij een temperatuur van 550 graden Celcius.
Het bouwen van steeds kleinere schakelingen is een manier om meer transistors op een chip te krijgen. Nog altijd verdubbelen de dichtheden van chips iedere twee jaar, zoals Gordon Moore in 1975 voorspelde. Die ontwikkeling kan niet doorgaan zonder nieuwe ontdekkingen waardoor transistors kleiner gemaakt kunnen worden.