Zeer dunne laagjes van het halfgeleidermateriaal germanium zouden in toekomstige generaties opto-elektrische circuits gebruikt kunnen worden. Het presteert beter dan silicium en is makkelijker te produceren dan grafeen.
Dankzij een nieuw proces om dunne laagjes germanium op een substraat aan te brengen, zou het halfgeleidermateriaal een alternatief voor silicium kunnen vormen. Bovendien zou het makkelijker verwerkbaar zijn dan grafeen, een vorm van koolstof die zich voor veel toepassingen als wondermateriaal heeft ontpopt. Grafeen is echter zeer lastig in massaproductieprocedés te gebruiken, omdat het materiaal zich moeilijk laat produceren.
De laagjes germanium van slechts één atoomlaag dik die door onderzoekers aan de universiteit van Ohio geproduceerd werden, zouden vergelijkbaar aan grafeen functioneren. De productie van dit enkellaags germanium, dat de onderzoekers germanaan noemen, is echter compatibel met bestaande halfgeleiderproductietechnieken. Dat zou een veel snellere adoptie van het germanaan mogelijk maken dan grafeen, dat slechts in kleine hoeveelheden in labs geproduceerd kan worden.
Het germanaan zou een vijfmaal hogere elektronenmobiliteit dan het bulkmateriaal germanium hebben en tienmaal de mobiliteit van silicium hebben. Bovendien heeft het materiaal een zogeheten band gap, wat het mogelijk geschikt maakt als lichtbron. Dat zou de inzetbaarheid van germanaan in elektro-optische schakelingen mogelijk maken. Het materiaal zou tevens in sensors ingezet kunnen worden.