Onderzoekers zien in een nieuw type halfgeleidermateriaal, dat in zeer dunne laagjes verwerkt wordt, een potentiële opvolger voor traditionele transistors die met silicium geproduceerd worden.
Het nieuwe type halfgeleidermateriaal, dat is ondergebracht in een klasse die metaaldichalcogeniden heet, bestaat uit molybdeendisulfide. Dat MoS2 wordt tussen source-, gate- en drain-elektrodes aangebracht als 'twee-dimensionele' laagjes. De kristallijne laagjes zijn slechts drie tot vier atomen, of 0,7 nanometer, dik en worden met vijftien laagjes opeengestapeld voor een optimale prestatie. Naast MoS2 zouden ook andere halfgeleiders uit dezelfde klasse gebruikt kunnen worden voor transistors, mits ze over een band-gap beschikken.
De onderzoekers maakten gebruik van scandium als elektrodemateriaal, omdat dat metaal weinig contactweerstand vertoont. Met de gelaagde nanokristallen zou het mogelijk zijn nog kleinere transistors te produceren dan nu mogelijk is met op silicium-gebaseerde cmos-technologie. Volgens de onderzoekers moet gezocht worden naar opvolgers van traditionele halfgeleiders, maar zal een enkel materiaal niet volstaan. Een hybride materiaal dat gewenste eigenschappen van verschillende halfgeleiders combineert, zou cmos-techniek op moeten volgen met steeds kleinere en zuinigere transistors.