Een Brits bedrijf heeft een methode ontwikkeld om leds direct op siliciumwafers te produceren. Naar eigen zeggen is het bedrijf het eerste dat erin geslaagd is galliumnitride-leds op wafers te produceren.
De leds die het Britse bedrijf Plessey Semiconductor kan produceren, zijn nog niet de high-end leds die in lampen gebruikt worden. De kleine ledjes moeten op termijn echter wel bruikbaar zijn voor led-gloeilampen, maar vooralsnog hebben ze een lichtopbrengst van slechts 2 lumen. Daarmee zouden ze vooral geschikt zijn voor signaallampen of als achtergrondverlichtingsbron. De leds zouden echter wel vrij eenvoudig gemaakt kunnen worden en goedkoper zijn dan vergelijkbare producten, die op siliciumcarbid- of saffierwafers gemaakt worden. Die wafers vergen een galliumnitridelaagje van acht tot negen micrometer, terwijl de siliciumwafers een laagje van 2,5 micrometer nodig hebben.
De Britten produceren hun leds bovendien op 6"-wafers, terwijl de andere methodes van 2"- of 4"-wafers gebruikmaken. Dat levert meer leds per wafer op, wat volgens Plessey vijftig tot tachtig procent lagere kosten oplevert. De productie zou nog geschaald kunnen worden naar 8"-wafers, wat een verdere kostenreductie zou betekenen. In de fabrieken van het bedrijf kunnen momenteel maandelijks zo'n 500 wafers, goed voor zeven miljoen leds, geproduceerd worden. Met meer productielijnen en grotere wafers zou dat aantal in de toekomst eenvoudig vertienvoudigd kunnen worden.
De techniek om galliumnitride op siliciumwafers aan te brengen werd aan de Cambridge-universiteit ontwikkeld. De kristalstructuur van beide halfgeleiders verschilt, waardoor het lastig is de materialen samen te brengen. De Cambridge-spin-off die de nieuwe wafers vercommercialiseerde, werd in maart 2012 door Plessey overgenomen. In de loop van 2013 moeten de lichtopbrengsten van de leds verhoogd worden van de huidige 2 naar ongeveer 150 lumen. Het bedrijf wil daarmee goedkope, felle leds leveren voor de verlichting van huizen, auto's, gebouwen en wegen.