Onderzoekers hebben een meerlaags-grafeenprototype gemaakt waarbij de elektrische eigenschappen van het materiaal veel beter zijn aan te passen dan bij voorgaande projecten. Dit brengt de toepassing van grafeentransistors dichterbij.
De wetenschappers van de Universiteit van Manchester legden twee lagen grafeen tussen lagen boornitride. Omdat de grafeenlagen volledig omringd waren door het boornitride, kon het onderzoeksteam zo onderzoeken hoe het materiaal zich gedraagt als het niet wordt beïnvloed door omstandigheden van buitenaf.
Volgens teamleider Leonid Ponomarenko zijn de elektrische eigenschappen van grafeen hierdoor te benutten op een manier die voorheen nog niet binnen handbereik was. "Tot dusver hebben mensen grafeen nooit als isolator gezien, tenzij het materiaal met opzet beschadigd werd. Wij hebben grafeen van hoge kwaliteit voor de eerste keer tot isolator gemaakt."
Volgens hem vormt de nieuwe structuur het beste grafeenplatform tot nu toe voor gebruik voor toekomstige electronica en worden problemen op het gebied van instabiliteit en kwaliteit er effectief mee opzijgezet. Binnen enkele maanden zouden er transistors kunnen verschijnen van grafeen dat door boornitride is ingekapseld. Die transistors moeten dan een betere capaciteit hebben dan voorgaande grafeenschakelingen. Resultaten van het onderzoek verschijnen in tijdschrift Nature Physics.