Chinese onderzoekers hebben een methode ontwikkeld om de transistors die in geheugencellen gebruikt worden een flinke versnelling te geven. Ze maken daarbij gebruik van transistors in transistors.
De transistors die gebruikt worden in geheugencellen, zoals in nand-chips voor solid state drives, naderen stilaan hun fysieke grenzen. De transistors kunnen niet alsmaar kleiner gemaakt worden voordat ongewenste effecten de betrouwbaarheid van de opgeslagen data verminderen. Een groep onderzoekers van de Chinese Fudan-universiteit denkt echter een manier gevonden te hebben om de transistors die in flashgeheugen gebruikt worden, sneller te maken.
Ze doen dat door een transistor in de transistors van de geheugencellen te bouwen. De ingebedde transistor moet de gate van de transistors sneller laten openen en sluiten, wat de snelheid van het geheel moet opvoeren. De Chinezen pasten hun techniek toe op floating gate mosfets. Een kleine tunneling fet wordt gebruikt als gate. Die tfets vergen minder tijd om een lading op te bouwen dan mosfets, omdat ze met quantumtunneling-effecten werken. Waar een traditionele transistor over tijd een lading moet opbouwen alvorens de gate kan worden geopend of gesloten, gebeurt dat bij de tfets veel sneller.
De mosfets kunnen zo niet alleen sneller schakelen, maar zijn ook nog eens zuiniger, zo bleek uit het onderzoek van de Fudan-medewerkers. De tfets kunnen in slechts één nanoseconde schakelen en bleken lichtgevoelig. Dat zou ze ook geschikt maken voor snelle beeldsensors. Bovendien zou het inbouwen van de tfets in mosfets nauwelijks een aanpassing in de productieprocessen vergen, zodat de techniek snel geïmplementeerd zou kunnen worden.