Everspin heeft zijn eerste ssd-lijn op basis van mram aangekondigd. In feite gaat het om accelerators voor opslag, aangezien de pcie-apparaten opslaghoeveelheden van slechts een en twee gigabyte bieden. Mram moet de voordelen van dram en die van nand combineren.
Mram, of magnetoresistief geheugen, slaat gegevens op door gebruik te maken van de spin van elektronen. Opslag vindt magnetisch plaats en niet elektrisch, en het gaat daarom om snel niet-volatiel geheugen zonder degradatie. Mram moet zo de duurzaamheid van magnetische opslag met de snelheid van dram of sram combineren, maar een groot obstakel is tot nu toe de opslagdichtheid. Everspin leverde vooralsnog discrete mram-componenten voor onder andere embedded systemen en de opslagdichtheid bedroeg daarbij maximaal 256Mbit per die met een ddr3-interface.
Everspin kondigt nu zijn eerste lijn nvme-ssd's met pcie 3.0 x8-interface aan. De fabrikant gebruikt voor de nvNitro-lijn 32 of 64 mram-chips om tot een opslagcapaciteit van respectievelijk 1 of 2GB te komen. Het geheugen opereert bij 4kB-lezen op 1,5 miljoen iops met een latency van 6 microseconde. AnandTech zet het aantal iops tegenover de 1,2 miljoen iops voor de HGST Ultrastar SN260-ssd, terwijl de latency gunstig afsteekt ten opzichte van de 20 microseconde van de Intel SSD DC P3700.
De snelheden kunnen volgens de fabrikant van pas komen bij toepassingen als high frequency trading, database- en bestandssysteemacceleratie, en het cachen van metadata. Daarmee richt het bedrijf zich op dezelfde markt als Intel met zijn Optane-opslag. Everspin wil later dit jaar ssd's van 4 tot en met 16GB uitbrengen op basis van ddr4-mram. Daarnaast moeten er compacte varianten op basis van de m2- en u2-formfactor verschijnen. De eerste nvNitro-producten moeten in het tweede kwartaal van dit jaar verschijnen. Momenteel testen klanten van Everspin de ssd's nog.