Natuurkundigen van de Technische Universiteit Eindhoven hebben een manier bedacht om mram energiezuiniger en sneller te maken. Mram is al jaren de grote belofte, maar heeft nog een aantal obstakels. Een groot obstakel is dat het schakelen van bits veel stroom vraagt.
Dat laatste lijkt nu overwonnen dankzij het gebruik van een 'buigende stroom'. Daarnaast is het nieuwe ontwerp veel sneller. "Bij mram wordt de schrijfstroom pas effectief na enkele nanoseconden", legt hoofdonderzoeker Arno van den Brink aan Tweakers uit. "Met deze techniek heb je meteen effect van de schrijfstroom, dus kun je in principe in minder dan een nanoseconde switchen. Bovendien verbetert het alternatieve stroompad zowel het stroomverbruik als de levensduur van de bits."
Mram, of magnetoresistief geheugen, slaat gegevens op door gebruik te maken van de spin van elektronen. Doordat de opslag magnetisch plaatsvindt en niet elektrisch, is hij permanent. Daardoor combineert mram de duurzaamheid van magnetische opslag met de snelheid van dram of sram en wordt het wel gezien als de opvolger van deze geheugentypen en flashgeheugen.
"In de huidige ontwerpen van mram heb je een vrije magnetische laag en een referentielaag", vervolgt Van den Brink. "Daartussen zit een laagje van ongeveer een nanometer dik met een hoge weerstand. Om die cel te schrijven, moet je door die laag met de hoge weerstand. Dat leidt niet alleen tot meer energiegebruik, maar ook tot meer slijtage. Wij sturen de stroom onder de lagen door."
"Vervolgens wordt een bit geschreven door elektronen af te buigen die de juiste spin hebben. Tot voor kort werkte dat alleen in een magnetisch veld, maar dat hebben we weten te elimineren door een antiferromagnetische laag toe te voegen."
Het hele onderzoek wordt beschreven in Nature Communications.
Mram waar elektronen met de juiste spin naartoe afgebogen worden