Samsung begint met massaproductie van mram

Samsung is begonnen met de massaproductie van emram, oftewel embedded magnetic random access memory. Het geheugen wordt gemaakt op een 28nm-procedé. Mram is een potentiële opvolger voor zowel dram als flash.

Samsung stelt dat het met het begin van de massaproductie heeft aangetoond dat het de technische obstakels rondom het op 28FDS gebaseerde emram heeft overwonnen en dat het in staat is om dit geheugentype verder op te schalen. Het 28nm-fully-depleted silicon-on-insulator-procedé is een volwassen productieprocedé voor chips waarbij een laagje oxide over de wafer wordt aangebracht, zodat de transistors van de siliciumbasislaag geïsoleerd zijn.

Mram staat voor magnetoresistief geheugen en Samsung noemt zijn implementatie hier embedded mram, oftewel emram. Bij dit type worden gegevens opgeslagen door gebruik te maken van de spin van elektronen. Opslag vindt magnetisch plaats en niet elektrisch. Het gaat daarom om snel, niet-volatiel geheugen zonder degradatie. Data blijft zo ook zonder elektriciteit behouden, terwijl het verwerken van data net zo snel gaat als bij dram. Door de duurzaamheid te combineren met de snelheid van dram of sram, wordt mram ook wel gezien als de opvolger van deze geheugentypen en flashgeheugen.

Volgens Samsung haalt het geproduceerde emram een schrijfsnelheid die ongeveer duizend keer zo snel is als bij eflashgeheugen. In vergelijking met eflash kan emram daarnaast toe met een lagere spanning, zodat het zuiniger is in het gebruik, ook doordat het geen stroom verbruikt als een apparaat met dit geheugen is uitgeschakeld.

De Zuid-Koreaanse fabrikant zegt dat zijn emram voordelen kan opleveren voor allerlei toepassingen, zoals mcu's, iot-producten en kunstmatige intelligentie. De fabrikant stelt dat zijn emram-modules ook eenvoudig zijn in te passen in bestaande technologie.

Samsung zegt dat het de tape-out van een emram 1Gbit-testchip nog dit jaar afrondt. De term tape-out staat voor de afronding van de ontwerpfase voordat het product in productie kan gaan.

Door Joris Jansen

Redacteur

06-03-2019 • 14:10

52

Reacties (52)

Sorteer op:

Weergave:

Het 28nm-fully-depleted silicon-on-insulator-procedé is een volwassen productieprocedé voor chips waarbij een extra laagje oxide over elk geleidend element wordt aangebracht, zodat alle elektronenbanen van elkaar geïsoleerd zijn.
Dit niet geheel correct. Alle metaalbanen in een chip zijn altijd gescheiden door een oxide (achtig iets) als isolator. Als ze niet elektrisch geïsoleerd van elkaar zouden zijn maken ze kortsluiting.

SOI is een techniek waarbij het op een wafer een laag oxide wordt gegroeid en daar bovenop weer een laag (monokristallijn) silicium. Deze laag is typisch enkele tientallen nanometers dik. Als je op/in deze laag transistoren maakt, geeft zorgt dit ervoor dat het kanaal van de MOSFET geheel (of gedeeltelijk) "depleted" is, ofwel geen ladingsdragers (elektronen, gaten) bevat (vandaar ook de naam Fully Depleted SOI) . Het voordeel is dat de lekstromen veel lager zijn, er zijn immers geen ladingdragers om deze stroom te faciliteren. Ook allerlei capaciteiten (waaronder de gate capaciteit) wordt wat lager, wat ook power en performance voordelen met zich meebrengt. Zo zijn er nog wel wat voordelen. Als enige nadeel weet ik dat de wafers duurder zijn, maar er zullen er vast veel meer zijn.

edit: De quote tussen quote-tags gezet.

[Reactie gewijzigd door achtbaanfreak op 23 juli 2024 01:59]

Er zijn ook geleiders die geen isolatiemateriaal hebben om ze te scheiden van het substraat. Maar de koppeling tussen die twee is een diode in de sperstand.
Je kan N of P wells elektrisch van elkaar scheiden door te zorgen dat de PN-junctie ertussen in sper staat. Volgens mij is dat op FDSOI niet van toepassing. FDSOI maakt geen gebruik van N- of P-wells voor het kanaal. De enige gedoteerde plekken zijn de source en drain, zie bv deze site. Normaal ligt er tussen N en P wells isolatie in de vorm van Shallow Trench Isolation (STI). STI is gaat niet super diep de wafer in. Daarom vindt je in bulk CMOS processen onder de STI nog plekken waar N en P wells elkaar raken; PN-juncties, ofwel de diodes waar je het over hebt. Volgens mij heb je daar bij FD-SOI geen last van omdat de STI tot aan de isolatielaag reiken zodat dat verschillende gebieden geheel elektrisch van elkaar gescheiden zijn. Zie bv de rechter kant van deze afbeelding waarbij de grijze gebieden STI zijn en geel de isolatielaag is. Er is geen directe verbinding tussen de source, drain, kanaal en de (donkergrijze) bulk.
Vanuit de therorie: Kan de scheiding tussen RAM en storage ook ooit komen te vervallen?
Dan moet je eens wat artikelen gaan lezen over de MEMRISTOR https://nl.wikipedia.org/wiki/Memristor
De memristor is de 4e passieve electronica component (naast de weerstand, spoel en condensator). Theoretisch is deze al lang geleden ontdekt, maar in praktijk valt deze moeilijk te maken. HP werkt er geloof ik nog aan.

Dit component zou dus enorm snel zijn en zijn lading kunnen vasthouden. Dat betekend dat je in feite geen caches meer nodig hebt, en ook geen verschil meer hebt tussen on/off-line memory (ram/sdd/hd's).
Geweldige potentie heeft het maar het is er (nog steeds) niet.
Het hele huidige computer model kan op de schop...
4e passieve component? Er zijn talloze passieve componenten naast die jij noemt, zoals diodes, transistors, etc.

Als je het 4e fundamentele element bedoelt, dan heb je gelijk.

Echter is het maar de vraag of memristors op die manier bruikbaar zijn, de verandering van de weerstand is namelijk afhankelijk van de spanning en stroom. Het zou dus best kunnen dat ze in de praktijk te traag zijn om als geheugencel te dienen in een computer, of dat de dissipatie te hoog is om op een fatsoenlijke snelheid te werken.

[Reactie gewijzigd door knirfie244 op 23 juli 2024 01:59]

Je kan het beste dit lezen: https://en.wikipedia.org/wiki/Memristor

Met name de vierhoek van de memristor, resistor, capacitor and inductor maakt het duidelijk; plaatje zie https://upload.wikimedia...._circuit_elements.svg.png.

Daarbij is de foto van 17 memristors, gemaakt door de zogenaamde "atomic force microscope" buitengtewoon fascinerend! https://upload.wikimedia....r.jpg/225px-Memristor.jpg

Mocht Tweakers een artikel erover willen maken, ik hou me ervoor aanbevolen om het te schrijven. De consequenties van deze component gaan zoals gezegd nogal ver. Het hele concept van de huidige computer (gebaseerd op Von Neumann-architectuur) komt daarbij op losse schroeven te staan. Je hebt geen cache meer, ALLE beschikbare geheugenlocaties zijn direct te benaderen. En zet je de computer uit dan blijft de informatie behouden. Fascinerend!
Diodes en transistoren vallen onder "actieve" componenten.
https://en.wikipedia.org/...ponent#Passive_components
Hoewel die definitie veel gebruikt wordt door elektrotechnici, vooral door schema ontwerpers (zelf heb ik deze initieel ook zo aangeleerd gekregen in NL), is dit een informele definitie die niet overeen komt met zowel de formele natuurkundig/technische definietie, als de definitie gebruikt binnen de circuit/netwerk-analyse. Daarnaast verschilt de "elektrotechnische" definitie nogal per boek/naslagwerk/land.

Voor de officiele definitie, kijk hier.
  • De officiële natuurkundig/techinische definitie voor passieve componenten is 'thermodynamic passivity', hierbij wordt het thermodynamisch aspect van het component beoordeeld. Passieve componenten zijn alle componenten die energie opnemen maar geen energie afgeven (practisch alles behalve voedingen/bronnen/versterkers/etc). Deze definitie is vanuit een elektrotechnisch oogpunt niet echt bruikbaar, gezien die meer naar een volledig systeem kijkt ipv component niveau.
  • Bij de (tevens informele) defintie voor netwerk analyse wordt er gesproken over 'incremental passivity', hierbij worden componten als passief gezien als deze reageren op spanning en/of stroom en het signaal niet aanpassen of versterken. Volgens deze definitie is een diode een passief component.
Na een paar jaar in de VS en Canada gewerkt te hebben hanteer ik zelf tegenwoordig de incremental definitie, deze is mij daar namelijk aangeleerd door collega's. Mijn fout hierboven was dat ik een transistor ook passief noemde. Overigens kan je hier een interessante discusie terug lezen over het feit of een diode nou als passief of actief gezien moet worden


Strict gezien zijn die 4 "passieve componenten" waar ArnieNFW over spreekt, de 4 'fundamental non-linear circuit elements'. Componenten zijn in de praktijk vaak niet ideaal, een spoel heeft bijvoorbeeld weerstand, een weestand heeft soms inductie (afhankelijk van hoe die gemaakt is), etc.

[Reactie gewijzigd door knirfie244 op 23 juli 2024 01:59]

Een diode kan licht geven of koelen, of spanning opwekken als er licht op valt of bij temperatuur verschil. Allemaal niet zo passief.
Wellicht dit artikel goed lezen: geen stroom nodig om de staat te behouden. Oftewel het is ze gelukt en zou opstarten tot verleden tijd kunnen zijn en je eigenlijk by default naar de laatste staat van het geheugen terug zou kunnen gaan.
Met als nadeel dat het niet zo eenvoudig is om een harde reset te geven. Bij menig apparaat (PCs, modems, TVs, versterkers en tegenwoordig ook IOT-apparaten) moet ik al eens een harde reset plegen door de stekker eruit te trekken omdat het apparaat niet meer werkt of kuren vertoond. Op de een of andere manier moet dit wel voorzien worden, en dan niet softwarematig want dat kan ook falen. Stekker eruit en RAM is hoe dan ook leeg. Ieder voordeel heb z´n nadeel :)
Softwarematige reset kan:
Macs (en vermoedelijk ook windows systemen) hebben PRAM, parameter ram dat ook na het uitzetten van uw computer onder spanning blijft staan. Het bevat parameters zoals schermhelderheid, instellingen muis, speaker volume, batterijstatus en nog kleine zaken.

Pas geleden vertoonde mijn mac kuren, het batterijpercentage bleef onveranderd en met een toetsencommando bij het opstarten kan je uw PRAM resetten en ben je verlost van die kwaaltjes.

Modems hebben soms ook soort pram omdat ik al gemerkt heb dat de modem uit het stopcontact trekken een probleem niet verhelpt. 5sec op de reset knop drukken helpt vaak wel. Soms is er zelfs een extremere reset aanwezig: 30sec op de reset knop drukken reset uw hele modem naar factory settings. Er is dus veel mogelijk.
Misschien mis ik uw punt, maar als ik het tweakers artikel goed lees dan is Samsung gestart met de productie van dit geheugen net om te bewijzen dat ze de gekende obstakels hebben overwonnen..
Ja. Microsoft houdt hier b.v. al enkele jaren rekening mee in de ontwikkeling van Windows.
Dan gaan we zeker compleet over op het 'virtuele' geheugen en kun je makkelijk de grootte van je SWAP file aanpassen om meer of minder RAM tot je beschikking te hebben :o
Het swap bestand word dan als het ware vervangen. Het geheugen in een systeem wordt dan 1. Data hoeft niet meer "het geheugen" in geladen te worden. De data is al "in het geheugen" geladen doordat het al op de interne opslag staat.

Laadtijden zouden verleden tijd moeten worden. De hoeveelheid RAM die je hebt wordt een onnodig punt.

Het werkt een beetje vergelijkbaar met de oude cartridges voor de Nintendo of Sega. Data wordt niet geladen, data wordt geaccessed.
ACM Software Architect @batjes6 maart 2019 16:16
Swap zal inderdaad nutteloos zijn. Hoewel een deel van het geheugen anders behandelen, bijvoorbeeld met compressie, alsnog nuttig kan zijn. Maar dat nut hangt dan uiteraard wel af van de verhouding tussen benodigde en beschikbare capaciteit.

Voor wat betreft het einde aan laadtijden. Dat is natuurlijk alleen zo als de opgeslagen data ook precies zo wordt opgeslagen zoals het in de cpu wordt gebruikt... En dat is in de praktijk nu in ieder geval lang niet altijd zo.

Dat kan op allerlei manieren verschillen: Soms is de opslag domweg in een andere format, bijvoorbeeld simpeler dan in geheugen (bijvoorbeeld alles "plat" achter elkaar, ipv met structuren voor efficiënte toegang). Soms is er compressie. Soms is er op disk juist meer opgeslagen, bijvoorbeeld versiehistorie of juist extra bytes voor integriteitscontrole.

Het is daardoor niet 1:1 zo dat je een cpu kunt wijzen naar "daar staat de data" en dat dan werkt alsof dat het ramgeheugen is. Dat hangt helemaal af van wat er in die bestanden staat.

Overigens hebben OS-en en cpu's daar nu wel al ondersteuning voor via "memory mapped files"; dat memory-mapped is dan inderdaad wel impliciet aan het opslagmedium geworden :)

Dus er kan wel op die manier gewerkt worden en wellicht "moet" dat ook wel tegen de tijd dat dit soort opslag normaal wordt. Maar vooralsnog is dat niet altijd het geval.
Dat wil dus zeggen dat je computer in 1 s kan opstarten want processen en programma's moeten niet meer in het RAM geladen worden want ze blijven erin staan als de computer uitstaat(niet-volatiel geheugen). Laat maar komen dat geheugen.

Maar dit is toch gewoon een antwoord op het 3DXPoint-geheugen(ik weet niet meer of het zo noemt) van Intel.
Waarom dan nog een swap-file gebruiken? Je 'interne' geheugen is dan net zo snel als je 'opslag' geheugen, dus je hoeft niet meer te swappen...
Pagefile heet dat ding eigenlijk... Al een jaar of 19 ;)

Sterker nog, er valt niets meer te swappen als er nog maar één van de twee over is, die beide taken vervult. Het zal vooral afhangen van de hardware-architectuur in hoeverre dit mogelijk is.
Ligt er aan hoe laag de kosten in theorie zijn ;)

Iets zegt me dat dit duurder zal zijn dan regulier RAM en prijstechnisch vaste opslag niet kan vervangen.

[Reactie gewijzigd door watercoolertje op 23 juli 2024 01:59]

Volgens mij is Samsungs FD-SOI vooral gericht op embedded / IOT-toepassingen / kleine processoren die niet altijd over RAM beschikken; tenminste wel waar het het 'inpassen' van MRAM betreft.

Een auto zit boordevol kleine CPU's (of MCU's, om eerlijk te zijn weet ik niet het exacte onderscheid), en veel daarvan hebben geen RAM. Vroeger hadden embedded processors vaak een EEPROM of iets dergelijks, en als ik het goed heb begrepen is MRAM eigenlijk meer de vervanger voor die EEPROM dan voor RAM. Voor de embedded wereld schijnt dit een enorme sprong vooruit te zijn.

GloFo had al een tijdje MRAM voor FD-SOI trouwens, voor haar 22FDX platform.

Het gaat vooral om energie-zuinigheid: DRAM heeft constant energie nodig. Dus als je dat kan uitsparen; en ook een DRAM-controller, scheelt dat veel stroom. Voor 100km aan dijkbewakingschips en onder kilometers lange verkeersbruggen waar je niet iedere 4 weken een nieuwe batterij in wil stoppen en dat soort zaken.

[Reactie gewijzigd door kidde op 23 juli 2024 01:59]

met de lmftfy gedachte :
Iets zegt me dat dit duurder zal zijn dan regulier RAM en prijstechnisch vaste opslag nog niet kan vervangen.
maar op termijn 5-10-20 jaar waarom niet;
inderdaad zal momenteel duurder zijn, zoals elke nieuwe technologie, maar zoals elke technologie zal ook deze methode verder ontwikkeld worden en indien genoeg vraag, op grotere schaal geproduceerd worden en daaruit volgt goedkoper.
zeker als je dit op iot wil toepassen zal je geen geheugen/opslag willen die evenveel kost als de rest van je componenten.
Het is al een abstractie. Niets in het concept van een universele Turingmachine dwingt het onderscheid af.

Sterker nog, er is zelfs geen fundamentele reden om een onderscheid te maken tussen geheugen en processor instructieset. (Het concept van RISC processors).

Vanuit security en praktisch oogpunt zul je wel degelijk onderscheid willen maken (als je een buffer overflow hebt, dan wil je niet dat je je hele disk kan overschrijven!), maar puur theoretisch zou je iets kunnen doen als "begin van het opslag-medium is werkgeheugen" en "einde van het opslagmedium is lange-termijn opslag".

Maar op zich zag je al met Windows ReadyBoost dat snellere storage (in dat geval voor de cache) al bottlenecks kan oplossen in geheugen performance.

Ook het omgekeerde: een RAM-drive, waarbij je werkgeheugen gebruikt om lange-termijn storage snel beschikbaar te hebben, wordt wel gebruikt.

Op dit moment is het economisch om verschillende 'tiers' van geheugen te hebben, met andere eigenschappen (qua persistentie en lees/schrijfsnelheid). Kans is dat in de toekomst de bottleneck niet meer op dit punt ligt.

[Reactie gewijzigd door Keypunchie op 23 juli 2024 01:59]

In theorie zou dat inderdaad kunnen, maar praktisch is het minder. er moet een strak onderscheid komen tussen welk gedeelte van het medium word gebruikt voor opslag en welk gedeelte van het medium beschikbaar is voor opslag, welk onder omstandigheden aangepast kan worden naar de wensen van de gebruiker. Als het werkt dan scheel het een component.

Dan nu de negatieve kant, als je meer werkgeheugen nodig heb en de opslag gedeelte vol is dan kan je niet zomaar het ram geheugen upgraden omdat de opslag eropstaat. suces met upgraden.
iig Linux ondersteunt hotswap geheugen. Bankje vrijmaken (door inhoud te verplaatsen naar andere), en dan kan je upgraden. En Linux heeft ook bestandssystemen voor in RAM, en XiP (execute-in-place) waardoor code rechtstreeks van de opslag kan worden uitgevoerd ipv eerst in het werkgeheugen te worden geladen. Oorspronkelijk bedoeld voor ROM maar kan evengoed met RAM opslag uiteraard.
Maar goed dat is allemaal nog met "oude" software, bijvoorbeeld HP had "The Machine" die heel anders werkte, waarbij er minder onderscheid was tussen langetermijn opslag en werkgeheugen.
Dat dat onderscheid er nu is, is juist raar, zo werkt mijn hoofd of schrift bijvoorbeeld ook niet. Het is vooral dat het bij computers noodgedwongen nou eenmaal zo heeft gewerkt de afgelopen halve eeuw, dat we dat nu zo normaal vinden. Dus dat kan hardwarematig en daarna ook softwarematig best veranderen, zodra de techniek dat toelaat.

[Reactie gewijzigd door N8w8 op 23 juli 2024 01:59]

Natuurlijk is banje kopieeren van stick a naar B een optie. maar dan moeten we en alles kopieeren en daarna ook alles overschriven. en controleren (alhoewel dat probleem steeds kleiner word of bijna verdwijnt des te sneller het gaat)
Dat dat onderscheid er nu is, is juist raar, zo werkt mijn hoofd of schrift bijvoorbeeld ook niet. Het is vooral dat het bij computers noodgedwongen nou eenmaal zo heeft gewerkt de afgelopen halve eeuw, dat we dat nu zo normaal vinden. Dus dat kan hardwarematig en daarna ook softwarematig best veranderen, zodra de techniek dat toelaat.
dan gaan we toch een paar bestanden overschrijven met activiteiten van het werkgeheugen, achja je maakt aleen je collega's boos omdat je ssentiele bedrijfsgegevns verloren gegaan zijn en je to do lijkstje kan verdwijnen en misschien moet je die 15GB grote film opnieuw downloaden omdat deze corrupt geraakt is, maar in iedergeval kan de computer genoeg geheugen gebruiken om de taak uit te voeren.
Ja, als je het upgraden uitstelt tot alle bankjes zo vol zijn dat je geen bank meer vrij kan maken, dan zou dat een probleem zijn.
En ook als je maar plek voor 1 bank hebt en geen enkele manier om tijdelijk iets te verplaatsen naar een externe computer/bank, dus ook geen netwerk of andere I/O aansluitingen.
En als je geen enkele vorm van permissies/quota etc hebt, en je beleid "recht van de sterkste" is, wordt het idd ook lastig.
Wil je het jezelf zo moeilijk maken dat het ongetwijfeld misgaat, dan heb ik er vertrouwen in dat je daar glansrijk in zult slagen.

[Reactie gewijzigd door N8w8 op 23 juli 2024 01:59]

Jouw hoofd werkt zo wel :)
korte termijn geheugen-> elektrisch
lange termijn geheugen-> chemisch
https://wetenschap.infonu...kortetermijngeheugen.html
Dat is fysiek vast zo, maar qua ervaring merk ik geen strikt onderscheid tussen werkgeheugen en permanent zoals computers dat kennen.
Al zou je dat nog als het "OS" kunnen zien, dat op de achtergrond relevante dingen wegschrijft/terugleest.
iig, point taken :)

[Reactie gewijzigd door N8w8 op 23 juli 2024 01:59]

Huh? Je hebt toch in ieder geval duidelijk registers en geheugen? Probeer maar eens om lange getallenreeksen direct te onthouden en achteruit terug op te noemen. Veel verder dan zeven of acht kom je niet. Terwijl, als je de moeite zou doen, je met leren veel meer decimalen van pi kunt onthouden.
Nee, het is mij niet duidelijk wanneer ik iets in registers bewaar en wanneer in langetermijn opslag.
Of wanneer of hoe ik overga/iets overgaat van registers naar langetermijn.
Ik zie iets 1x, dan onthoud ik het nauwelijks, en hoe vaker ik het zie hoe beter/langer ik het onthoud.
Zo ervaar ik dat als 1 geheugen.
er moet een strak onderscheid komen tussen welk gedeelte van het medium word gebruikt voor opslag en welk gedeelte van het medium beschikbaar is voor opslag,
Voor zover mij bekend kan dat geheel transparant zijn. Er zijn voldoende OS'en waar dat al het geval is.
met swapfiles inderdaad, mij lijkt het efficienter en om een harde grens te hebben welk gedeelte puur ram in plaats van het benaderen van een swapfile op een virtueel bestandssysteem..
Dat verschil is er al bijna niet meer dankzij paging (swappen/virtueel geheugen). De tiering is nu CPU register>CPU L1 Cache>CPU L2 Cache>CPU L3 Cache>DRAM>SSD>HDD (in oplopende toegangstijden).
Al deze lagen zijn al tot 1 plat ding geslagen: geheugen. Ik denk dat de scheiding altijd zal blijven bestaan als was het maar omdat HDD goedkoper is dan silicon.
Ja, o.a. HP is hier mee bezig: https://www.hpe.com/us/en...-computing-explained.html

Het principe is dat je eigenlijk niet data tussen verschillende niveaus van storage wilt hoeven verplaatsen. Wat als je opslag nu gewoon is wat wij nu RAM noemen? En wat als je nu een giga pool van geheugen zou kunnen hebben waar al je nodes direct mee verbinden? Het Gen-Z consortium houdt zich bezig met het opstellen van standaarden om dit op de markt te brengen.

https://www.hpe.com/us/en...erconnect-technology.html

Nadeel? Bestaande applicaties en OS'sen kunnen hier natuurlijk nog niet mee om gaan.

[Reactie gewijzigd door DJFliX op 23 juli 2024 01:59]

"embedded magnetic random access memory". Word het dan wel of niet gewist door een magnetisch veld.
Volgens het artikel vind de opslag magnetisch plaats. Dat betekend dat dit net zo slecht tegen magnetisme bestand is als de ouderwetse harde schijf en floppy disk.
Dat is maar de vraag omdat niet elk materiaal even magnetisch gevoelig is. Minidisc is een voorbeeld van een formaat dat weliswaar kwetsbaar is voor magnetisme maar niet even sterk als een floppy disk.
Nu weer een display techniek uitvinden die er ook gevoelig voor is en weer lekker klooien met die speaker magneten :P
Dat vroeg ik me nou ook af.
Als verwerking en latency net zo laag zijn als dram maar dan non-volatile zou dit dus in principe de hele tiered storage kunnen vervangen? Los van dat dat prijstechnisch nog wel even op zich zal laten wachten.
Cypress maakt FRAM, dat klinkt vergelijkbaar. En dat is ook erg snel te beschrijven geheugen, willekeurig te wissen, en gaat veel langer mee dan FLASH varianten (EEPROM).

In hoeverre is dit vergelijkbaar? Of heet het nu gewoon MRAM omdat Samsung een hogere dichtheid weet te halen?
In vergelijking met eflash kan emram daarnaast toe met een lagere spanning, zodat het zuiniger is in het gebruik, ook doordat het geen stroom verbruikt als een apparaat met dit geheugen is uitgeschakeld.
Deze zin klopt niet. Het hoeft niet uitgeschakeld te zijn om geen stroom te gebruiken maar zodra geheugen niet aangesproken is gebruikt het geen stroom en doordat geen "refresh" plaatsvind ook niet dus naast lagere spanning.

Overigens doet dit me denken aan kraalgeheugen op heel kleineschaal.

Wel vraag ik me af of je dit wel overal kunt gebruiken.
Wat is er gebeurd met PRAM, dit is toch al van een tijdje geleden dacht ik? Lijkt me in ieder geval leuker om prammen in je computer te stoppen.
Dus als ik dit goed begrijp kan ik gewoon zorgen dat de behuizing er af kan en als de politie binnen valt snel met een dikke magneet erover kan gaan _/-\o_ Absoluut de max!

Hopelijk dat dit snel in productie komt dan hoef ik langer met een open PC case te zitten met bengelende SSD's en een hamer ernaast als stand-by self-destruct procedure. :Y)

[spoiler] ik maak een geintje natuurlijk :+ ...misschien... [/spoiler]

[Reactie gewijzigd door Silversatin op 23 juli 2024 01:59]

Betekend dit dat je de wachtwoorden ook na het opstarten van de computer nog uit het geheugen kunt vissen? :9

Start je computer met je mram geheugen langzaam op omdat het eerst je ram uit veiligheid moet overschrijven :+
Heet het nou mram of emram? Die afkortingen wisselen elkaar constant af in het bericht.
Aandachtiger lezen. Het antwoord op je vraag staat er letterlijk: "Mram staat voor magnetoresistief geheugen en Samsung noemt zijn implementatie hier embedded mram, oftewel emram."

[Reactie gewijzigd door deighton op 23 juli 2024 01:59]

Op dit item kan niet meer gereageerd worden.