Samsung is begonnen met de massaproductie van emram, oftewel embedded magnetic random access memory. Het geheugen wordt gemaakt op een 28nm-procedé. Mram is een potentiële opvolger voor zowel dram als flash.
Samsung stelt dat het met het begin van de massaproductie heeft aangetoond dat het de technische obstakels rondom het op 28FDS gebaseerde emram heeft overwonnen en dat het in staat is om dit geheugentype verder op te schalen. Het 28nm-fully-depleted silicon-on-insulator-procedé is een volwassen productieprocedé voor chips waarbij een laagje oxide over de wafer wordt aangebracht, zodat de transistors van de siliciumbasislaag geïsoleerd zijn.
Mram staat voor magnetoresistief geheugen en Samsung noemt zijn implementatie hier embedded mram, oftewel emram. Bij dit type worden gegevens opgeslagen door gebruik te maken van de spin van elektronen. Opslag vindt magnetisch plaats en niet elektrisch. Het gaat daarom om snel, niet-volatiel geheugen zonder degradatie. Data blijft zo ook zonder elektriciteit behouden, terwijl het verwerken van data net zo snel gaat als bij dram. Door de duurzaamheid te combineren met de snelheid van dram of sram, wordt mram ook wel gezien als de opvolger van deze geheugentypen en flashgeheugen.
Volgens Samsung haalt het geproduceerde emram een schrijfsnelheid die ongeveer duizend keer zo snel is als bij eflashgeheugen. In vergelijking met eflash kan emram daarnaast toe met een lagere spanning, zodat het zuiniger is in het gebruik, ook doordat het geen stroom verbruikt als een apparaat met dit geheugen is uitgeschakeld.
De Zuid-Koreaanse fabrikant zegt dat zijn emram voordelen kan opleveren voor allerlei toepassingen, zoals mcu's, iot-producten en kunstmatige intelligentie. De fabrikant stelt dat zijn emram-modules ook eenvoudig zijn in te passen in bestaande technologie.
Samsung zegt dat het de tape-out van een emram 1Gbit-testchip nog dit jaar afrondt. De term tape-out staat voor de afronding van de ontwerpfase voordat het product in productie kan gaan.