Samsung kondigt de derde generatie van zijn 10nm-class-ddr4-geheugen aan. De Zuid-Koreaanse techgigant gaat chips van acht gigabit maken op het verbeterde 1z-nm-procedé. De massaproductie begint in de twee helft van het jaar; in 2020 komen de chips in pc's.
Samsung vermeldt nog niet wat de verbeteringen van het nieuwe 1z-nm-geheugen zijn ten opzichte van de tweede generatie, die bekendstaat als 1y-nm. De massaproductie van die tweede generatie begon eind 2017 en leverde destijds snellere en zuinigere geheugenchips op. Waarschijnlijk geldt datzelfde voor de nieuwe 1z-nm-generatie, maar Samsung zegt vooralsnog alleen dat de productie twintig procent efficiënter wordt. Dat komt door een verdere verkleining van het procedé; Samsung claimt dat het om het kleinste procedé voor geheugenproductie tot nu toe gaat.
Met 10nm-class doelt Samsung op chips die gemaakt zijn op nodes tussen 10 en 19nm. Samsung maakte het eerste ddr4-geheugen in deze klasse in 2016. De capaciteit van de geheugenchips blijft met 8Gbit gelijk aan die van de eerste en tweede generatie. Met dergelijke chips zijn ddr4-geheugenmodules van 128GB te maken.
Volgens Samsung begint de massaproductie van het nieuwe geheugen in de tweede helft van dit jaar en leidt dat ertoe dat de geheugenchips vanaf volgend jaar in servers en high-end pc's te vinden zullen zijn. Ook stelt Samsung dat de productie van het ddr4-geheugen op het verbeterde procedé een opmaat is naar de komst van nieuwer en sneller geheugen, zoals ddr5, hbm2, lpddr5 en gddr6.