Samsung is de massaproductie gestart van 12GB lpddr4x-packages voor mobiele apparaten zoals smartphones. In de tweede helft van het jaar wil Samsung de productie van 8GB- en 12GB-modules verdrievoudigen.
Samsung maakt de 12GB-module door zes 16Gbit-lpddr4x-chips te combineren in een enkele package. Het aanbod volgt op dat van 8GB-modules, die Samsung sinds juli vorig jaar op grote schaalt produceert. Op de capaciteit na zijn de overige eigenschappen gelijk gebleven: het gaat om een package met totale doorvoersnelheid van 34,1GB/s, opgebouwd uit 16Gbit-chips die op Samsungs 10-class-procedé van de tweede generatie zijn geproduceerd. De modules hebben een dikte van 1,1 millimeter.
Om aan de verwachte groeiende vraag te voldoen, wil Samsung de productie van de 8GB- en 12GB-modules in zijn chipfabriek in het Koreaanse Pyeongtaek in de tweede helft van dit jaar 'meer dan verdrievoudigen'. Samsung gebruikt de 12GB-module al voor zijn Galaxy S10+ en waarschijnlijk gaat ook de komende Galaxy Note 10 ermee uitgerust worden.
Tijdlijn van Samsungs dramproductie voor mobiele apparaten | |||
Datum | Modulegrootte | Procedé | Chip, snelheid |
Augustus 2012 | 2GB | 30nm-class | 4Gb lpddr3, 1600Mbit/s |
April 2013 | 2GB | 20nm-class (2y) | 4Gb lpddr3, 2133Mbit/s |
November 2013 | 3GB | 20nm-class (2y) | 6Gb lpddr3, 2133Mbit/s |
September 2014 | 3GB | 20nm-class (2z) | 6Gb lpddr3, 2133Mbit/s |
December 2014 | 4GB | 20nm-class (2z) | 8Gb lpddr4, 3200Mbit/s |
Augustus 2015 | 6GB | 20nm-class (2z) | 12Gb lpddr4, 4266Mbit/s |
September 2016 | 8GB | 10nm-class (1x) | 16Gb lpddr4, 4266Mbit/s |
Juli 2018 | 8GB | 10nm-class (1y) | 16Gb lpddr4x, 4266Mbit/s |
Maart 2019 | 12GB | 10nm-class (1y) | 16Gb lpddr4x, 4266Mbit/s |