Samsung begint in juli met de massaproductie van 12GB-packages lpddr5-geheugen voor smartphones. De modules zijn opgebouwd uit acht 12Gbit-chips en komen naar alle waarschijnlijkheid in de Galaxy Note 10 van Samsung terecht.
Samsung is al begonnen met de massaproductie van 12Gbit-chips van lpddr5 en maakt later deze maand de 12GB-modules, maakt het bedrijf bekend. De lpddr5-chips zijn met een doorvoercapaciteit van 5,5Gbit/s 1,3 keer zo snel als het huidige lpddr4x-werkgeheugen met zijn 4,2Gbit/s.
Als onderdeel van een module van 12GB kan het lpddr5 via een 64 bits brede bus zo 44GB per seconde verwerken, waar 12GB-lpddr4x blijft steken op 34,1GB/s. Bovendien is lpddr5 volgens Samsung dertig procent zuiniger dankzij de toepassing van nieuwe technieken voor clocking en low-power-modi. Volgend jaar moet de productie van 16Gbit-chips van lpddr5 van start gaan.
Samsung maakt niet bekend welke smartphones het geheugen als eerste krijgen, maar volgens geruchten komt er een variant van de komende Galaxy Note 10 met 12GB-lpddr5. Het gaat volgens SamMobile om de versie van de Note 10 met 1TB opslag. Samsung zou ook varianten met 256GB en 512GB opslag uitbrengen.
Tijdlijn van Samsungs dram-productie voor mobiele apparaten | |||
Datum | Modulegrootte | Procedé | Chip, snelheid |
Augustus 2012 | 2GB | 30nm-class | 4Gbit-lpddr3, 1600Mbit/s |
April 2013 | 2GB | 20nm-class (2y) | 4Gbit-lpddr3, 2133Mbit/s |
November 2013 | 3GB | 20nm-class (2y) | 6Gbit-lpddr3, 2133Mbit/s |
September 2014 | 3GB | 20nm-class (2z) | 6Gbit-lpddr3, 2133Mbit/s |
December 2014 | 4GB | 20nm-class (2z) | 8Gbit-lpddr4, 3200Mbit/s |
Augustus 2015 | 6GB | 20nm-class (2z) | 12Gbit-lpddr4, 4266Mbit/s |
September 2016 | 8GB | 10nm-class (1x) | 16Gbit-lpddr4, 4266Mbit/s |
Juli 2018 | 8GB | 10nm-class (1y) | 16Gbit-lpddr4x, 4266Mbit/s |
Maart 2019 | 12GB | 10nm-class (1y) | 16Gbit-lpddr4x, 4266Mbit/s |
Juni 2019 | 6GB | 10nm-class (1y) | 12Gbit-lpddr5, 5500Mbit/s |
Juli 2019 | 12GB | 10nm-class (1y) | 12Gbit-lpddr5, 5500Mbit/s |