Samsung begint de massaproductie van 16Gbit-chips van zijn tweede generatie lpddr4x-geheugen op een verbeterd 10nm-class-procedé. Volgens de fabrikant zijn de nieuwe chips zuiniger en dunner dan de eerste generatie.
Momenteel worden in high-end smartphones ook al 16Gbit-lpddr4x-chips gebruikt, maar de tweede generatie is volgens Samsung 10 procent zuiniger. De snelheid is met 4266Mbit/s ongewijzigd. Door vier van de 16GBit-chips te combineren, die elk een capaciteit van 2GB hebben, kan Samsung een package maken van 8GB lpddr4x met een doorvoersnelheid van 34,1GB/s.
Volgens Samsung is de nieuwe 8GB-lpddr4x-module twintig procent dunner dan de eerste generatie en kunnen telefoons daardoor dunner gemaakt worden. Samsung maakt de tweede generatie van zijn lpddr4x-geheugen op een 10nm-class-procedé. Daarmee doelt Samsung op een node ergens tussen 10 en 19 nanometer.
Samsung kondigde eerder deze maand ook al de eerste lpddr5-module voor smartphones aan, maar de massaproductie daarvan komt pas later. De nieuwe 8GB-lpddr4x-module zal vermoedelijk gebruikt worden in high-end smartphones die de komende tijd worden aangekondigd, zoals de Galaxy Note 9.
Tijdlijn van Samsungs dramproductie voor mobiele apparaten | |||
Datum | Modulegrootte | Procedé | Chip, snelheid |
Augustus 2012 | 2GB | 30nm-class | 4Gb lpddr3, 1600Mbit/s |
April 2013 | 2GB | 20nm-class (2y) | 4Gb lpddr3, 2133Mbit/s |
November 2013 | 3GB | 20nm-class (2y) | 6Gb lpddr3, 2133Mbit/s |
September 2014 | 3GB | 20nm-class (2z) | 6Gb lpddr3, 2133Mbit/s |
December 2014 | 4GB | 20nm-class (2z) | 8Gb lpddr4, 3200Mbit/s |
Augustus 2015 | 6GB | 20nm-class (2z) | 12Gb lpddr4, 4266Mbit/s |
September 2016 | 8GB | 10nm-class (1x) | 16Gb lpddr4, 4266Mbit/s |
Juli 2018 | 8GB | 10nm-class (1y) | 16Gb lpddr4x, 4266Mbit/s |