Samsung heeft aangekondigd dat het is begonnen met de massaproductie van de tweede generatie van ddr4-dram-chips van acht gigabit op een 10nm-class-procedé. Het bedrijf zegt dat hiermee betere prestaties worden gehaald en gaat de productie van dram opvoeren.
De nieuwe geheugenchip ondersteunt volgens Samsung een maximale datarate van 3600 megabit per seconde; de eerste generatie ddr4-dram-chips van 8Gbit gingen niet verder dan 3200 Mbit/s. Samsung spreekt van een toename van de prestaties en energie-efficiëntie van 10 tot 15 procent ten opzichte van de chips uit de eerste generatie. Verder claimt Samsung dat het met deze nieuwe massaproductie dertig procent meer chips uit een wafer kan halen.
Het bedrijf stelt de verbeteringen te hebben bereikt door gebruik te maken van nieuwe technologieën, zonder de toepassing van euv. Het gaat volgens Samsung om een hooggevoelig data sensing system waarmee accurater kan worden bepaald welke data in elke cel moet worden opgeslagen. Daarnaast past het Zuid-Koreaanse concern een air spacer toe in het ontwerp, waarmee de parasitaire capaciteit aanzienlijk zou worden verminderd. Dit zou een verbeterde schaling en sneller werkende cellen mogelijk maken.
Samsung zegt met deze innovaties in staat te zijn de plannen voor het sneller introduceren van volgende generaties van geheugenchips nog verder te versnellen. Het gaat dan om ddr5, hbm3, lpddr5 en gddr6. Het bedrijf verwacht de productie van de tweede generatie ddr4-chips snel te verhogen en het gaat ook de productie van geheugenchips uit de vorige generatie opvoeren om te voldoen aan de groeiende vraag naar dram.