Samsung is gestart met de productie van gddr6 voor videokaarten met een capaciteit van 16Gbit en een bandbreedte van 18Gbit/s per pin. Dat is goed voor een doorvoersnelheid van 72GB/s. Samsung maakt de chips op zijn 10nm-class-procedé.
De gddr6-geheugenchips hebben een verdubbelde datadichtheid ten opzichte van de gddr5-varianten die op 20nm werden gemaakt, zegt Samsung. Het 10nm-class-procedé is een aanduiding van Samsung voor chips met een node tussen 10nm en 19nm.
Volgens Samsung gaan de gddr6-chips hun weg vinden naar de volgende generatie high-end videokaarten en verbruiken ze minder dan gddr5, omdat de chips werken op 1,35V. De langzamere gddr5-chips werken op 1,5V.
Bij een recente vooraankondiging van het gddr6-geheugen sprak Samsung nog over een snelheid van 16Gbit/s. Ook toen Samsung in 2016 voor het eerst details gaf over zijn gddr6-geheugen, werd de snelheid lager ingeschat en verwachtte Samsung pas in 2020 de hoogste snelheden te halen.
Concurrent Micron produceerde eind vorig jaar zijn eerste gddr6-geheugenchips met bandbreedtes van 12 en 14Gbit/s en wil later met 16Gbit/s-chips komen. SK Hynix had al eerder gddr6-chips met een capaciteit van 8Gbit gereed, met snelheden van 10 tot 14Gbit/s.
Fabrikanten van videokaarten hebben nog geen modellen aangekondigd met gddr6, maar vermoedelijk komt daar binnenkort verandering in. Vermoedelijk gaat Nvidia het geheugen gebruiken op videokaarten voor consumenten en blijft het hbm2 voorbehouden aan absolute topmodellen zoals de Titan V.