Samsung heeft bekendgemaakt dat het bedrijf werkt aan de ontwikkeling van gddr6-ram. Dit grafische werkgeheugen kan volgens de fabrikant een doorvoersnelheid van 16Gbit/s aan op een lagere spanning dan gddr5.
De gddr6-ram wordt benoemd in een vooraankondiging van enkele prijswinnende producten die tijdens CES 2018 te zien zullen zijn. De volledige aankondiging met alle specificaties laat vermoedelijk daarom nog op zich wachten totdat de beurs op 7 januari 2018 van start gaat.
Wat Samsung wel in de vooraankondiging vermeldt, is dat het geheugen met 16Gbit/s beelden kan verwerken op een spanning van 1,35V, tegenover de 8Gbit/s en 1,5V van gddr5. Overigens kan het snelste gddr5x-geheugen dat op dit moment beschikbaar is, een maximale snelheid van 14Gbit/s aan. Anandtech speculeert dat Samsung gebruikmaakt van 8Gb-chips, die op een 18nm-procedé zijn gebakken.
Vorig jaar maakte Samsung al bekend dat de fabrikant vanaf 2018 gddr6-geheugen wil gaan produceren, waarmee het bedrijf, gezien de aankondiging tijdens CES 2018, op schema lijkt te liggen. Micron heeft aangekondigd dat het bedrijf dit jaar nog gddr6-geheugen op de markt wil brengen en SK Hynix heeft ook al een gddr6-chip laten zien.