Samsung heeft aangekondigd te beginnen met de massaproductie van ddr4-dram-chips van acht gigabit op een 10nm-class-procedé. Dat houdt in dat het gaat om chips met een transistorgrootte tussen de tien en negentien nanometer.
Het nieuwe geheugen ondersteunt volgens Samsung een maximale datarate van 3200 megabit per seconde. Daarmee is het zo'n dertig procent sneller dan de 2400Mbit/s die gehaald wordt met ddr4-chips die met de 20nm-klasse zijn gemaakt. Bovendien zouden de chips dankzij het kleinere procedé tien tot twintig procent zuiniger zijn dan de vorige generatie ddr4-geheugen en haalt het bedrijf ruim dertig procent meer chips uit een wafer.
Samsung maakt de 10nm-class-cellen door gebruik te maken van verbeteringen in eigen ontwerptechnieken, waaronder viervoudige patroonlithografie of qpt en in het produceren van zeer zuivere niet-geleidende lagen van niet meer dan enkele ångströms dik, ofwel dunner dan een nanometer.
Het Koreaanse bedrijf denkt nog dit jaar een 10nm-class-ddr4-dram-versie klaar te kunnen stomen die is bedoeld voor smartphones en andere mobiele apparaten. De producten die dit jaar binnen de 10nm-class-lijn uitkomen, zullen uiteenlopen van 4GB laptopram tot 128GB-reepjes voor servers. De in 2013 begonnen 20nm-class-lijn wordt ook uitgebreid.