Samsung is de massaproductie van 4Gb ddr4-chips op een 20nm-class-procedé begonnen. Het geheugen is bedoeld voor gebruik in servers in datacenters en zou iets sneller zijn dan op 20nm class geproduceerd ddr3-geheugen, tegen een aanzienlijk lager verbruik.
Samsung produceerde begin 2011 al zijn eerste ddr4 op 30nm, gevolgd door de eerste 16GB-modules half 2012, maar laat nu op grote schaal 4Gb ddr4-chips die op 20nm gebakken zijn van de lopende band rollen. De chips moeten in 16GB- en 32GB-modules voor datacenter-servers terechtkomen.
Volgens Samsung bieden de op 20nm geproduceerde 4Gb ddr4-chips doorvoersnelheden van 2667MT/s, waar op 20nm geproduceerd ddr3 een maximum kent van 2133MT/s. Tegelijk zou het verbruik ten opzichte van dat geheugen 30 procent lager liggen.
De Jedec-organisatie kondigde een jaar geleden de ddr4-specificatie aan. Ddr4 opereert op 2133 tot 4266 MT/s, tegen doorvoersnelheden van 800 tot 2133MT/s voor ddr3, terwijl de spanningen bij ddr4 met 1,05 tot 1,2V lager liggen dan de 1,2 tot 1,65V bij ddr3.
:fill(white)/i/1377871859.jpeg?f=thumb)
:fill(white)/i/1377871860.jpeg?f=thumb)
:fill(white)/i/1377871861.jpeg?f=thumb)